DDR DDR2 内存的区别

DDR和DDR2是完全不兼容的，DDR2接口为240Pin比DDR的184Pin长，而且电压亦比DDR的2.5v更低，只有1.8v而在同时脉下比DDR低一半的功耗，这些都是DDR2内存的优点，而缺点则是DDR的延迟值比较高，在同时脉下效能较低。

  不单在规格上不兼容，其实DDR和DDR2在技术上有得大分别。我们用的内存是透过不停充电及放电的动作记录资料的，上代SDRAM内存的核心时脉就相等于传送速度，而每一个Mhz只会有传送1 Bit的资料，采用1 Bit Prefetch。故此SDRAM 100Mhz的频宽为100Mbps。但随着系统内部组件速度提升，对内存速度的要求增加，单纯提升内存时脉已经不能应付需求，幸好及时发展出DDR技术。

    DDR与SDRAM的分别在于传统SDRAM只能于充电那一刻存取资料，故此每一下充电放电的动作，只能读写一次，而DDR却把技术提升至在充电及放电时都能存取资料，故此每Mhz有两次存取动作，故此DDR会比SDRAM在同一时脉下效能提高一倍，而100Mhz的DDR却可达至200Mbps存取速度，由于每一个Mhz都要有二次的资料存取，故此DDR每一Mhz会传送2Bit，称为2Bit Prefetch，而DDR颗粒时脉每提升1Mhz，所得的效果是SDRAM的两倍。

  而DDR 2则是承继DDR并作出改良，同样能在每一笔充电放电时都能存取，但DDR 2却改良了I/O Buffer部份，以往内存颗粒的时脉相等于I/O Buffer的时脉，但DDR2的I/O Buffer会被提升至却内存核心时脉的一倍，而DDR 2内存会在每一个Mhz传送4Bit的资料给I/O Buffer，比DDR每笔传送2Bit多一倍，故此在同一内存核心时脉下，DDR 2的内存会比DDR速度快一倍，这技术称为4Bit Prefetch。DDR 2未来提升速度的空间会比DDR强，因为每提升1 Mhz DRAM的时脉，所得到的效果却是传统SDRAM的四倍。不过我们经常提及DDR 2的时脉是Clock Frequency，而不是DRAM Core Frequency，故此DDR 2 533的时脉还是266Mhz。

  除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

  OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

  ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

  Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到 CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突