MLC SLC的比较

MLC（Multi-Level Cell多层单元）

简介

　　要解释MLC的话，必然要提到SLC。MLC和SLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器，可以用来作为MP3播放器、移动存储盘等产品的 存储介质 。SLC全称是Single-Level Cell，即单层单元闪存，而MLC全称则是Multi-Level Cell，即为多层单元闪存。它们之间的区别，在于SLC每一个单元，只能存储一位数据，MLC每一个单元可以存储两位数据，MLC的数据密度要比SLC 大一倍。

　　从名次解释上来看，当然MLC密度要大，自然有其优势，成本上来说，MLC也具有很大的优势。据了解，不少芯片厂商开始从SLC制程转向MLC制程，06年8月，三星正式从SLC转向MLC，06年10月份，三星已经开始大批量的生产MLC闪存芯片。目前三星采用的芯片编号为K9G****** K9L*****的芯片为MLC芯片，而现代采用编号为：HYUU**** HYUV***芯片也是MLC芯片。

特点

　　SLC的特点是成本高、容量小、速度快，而MLC的特点是容量大成本低，但是速度慢。MLC的每个单元是2bit的，相对SLC来说整整多了一倍。不过，由于每个MLC存储单元中存放的资料较多，结构相对复杂，出错的几率会增加，必须进行错误修正，这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。此外，SLC闪存的优点是复写次数高达100000次，比MLC闪存高10倍。此外，为了保证MLC的寿命，控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法，使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊，达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。

缺点

　　不过尽管MLC有其自身的优势，但是也掩饰不了其缺点。

　　 1、读写效能较差

　　相比SLC闪存，MLC的读写效能要差，SLC闪存约可以反复读写10万次左右，而MLC则大约只能读写1万次左右，甚至有部分产品只能达到5000次左右。

　　 2、读写速度较慢

　　在相同条件下，MLC的读写速度要比SLC芯片慢，目前MLC芯片速度大约只有2M左右。

　　 3、能耗较高

　　在相同使用条件下，MLC能耗比SLC高，要多15%左右的电流消耗。

　　这些原因，很大程度上是取决于MLC制式改变，需要新的控制芯片支持，而部分MP3、闪存盘等产品仍然延续老式的设计，MLC就会带来各种问题，包括数据丢失、传输速度慢等缺陷。06年大批量 SD卡 被招回的风波，就是因为转用MLC芯片，没有新的主控芯片支持惹的祸，造成了很大的影响。

现状

　　随着三星、东芝的MLC闪存芯片开始量产，MLC芯片应用也越来约广泛，由于全新的MLC芯片在存储密度等方面加大，对主控芯片的要求也越来越高。读写频繁的数码播放器和闪存盘等数码设备也加重了MLC闪存的出错几率，对于视频和音频这样的应用来说，必需具备控制芯片和ECC校验机制，目前有的主控芯片通过纯软件校验，这样，无形当中加重了主控芯片的负担。也有部分主控通过硬件的4bitECC校验和软件校验相结合，从而减轻了主控负担，但是这只是在一定程度上减少出错的几率，MLC的芯片写入次数限制和传输速度等缺点是无法克服的。

　　MLC在架构上取胜SLC，很多厂商目前都MLC做了很多的优化和开发，未来可能将是一个主流方向，但目前来说技术还不是很成熟。而成本上来说，MLC要便宜SLC芯片，所以不少厂商在原有架构上选用了MLC芯片，但却没有增加控制芯片或者ECC校验，使得不少问题则由此而生，使得不少行业人士也惊呼MLC为“黑芯”。所以目前大家在选购MP3、闪存盘等数码产品的时候，不能一味的只看价格，而需要更多层面的去考虑。

　　MLC技术开始升温应该说是从2003年2月东芝推出了第一款MLC架构NAND Flash开始，当时作为NAND Flash的主导企业三星电子对此架构很是不屑，依旧我行我素大力推行SLC架构。第二年也就是2004年4月东芝接续推出了采用MLC技术的4Gbit和8Gbit NAND Flash，显然这对于本来就以容量见长的NAND闪存更是如虎添翼。三星电子长期以来一直倡导SLC架构，声称SLC优于MLC，但该公司于2004和2005年发表的关于MLC技术的ISSCC论文却初步显示它的看法发生了转变。三星在其网站上仍未提供关于MLC闪存的任何营销材料，但此时却已经开发出了一款4Gbit的MLC NAND闪存。该产品的裸片面积是156mm2，比东芝的90nm工艺MLC NAND闪存大了18mm2。两家主流NAND闪存厂商在MLC架构上的竞争就从这时开始正式打响了。除了这三星和东芝这两家外，现在拥有了英特尔MLC技术的IM科技公司更是在工艺和MLC上都希望超越竞争对手，大有后来者居上的冲劲。MLC技术的竞争就这样如火如荼地进行着。