ARM能耗分析

ARM内核分为ARM7、ARM9、ARM10以及StrongARM等几类。其中每一类又根据其各自包含的功能模块而分成多种构成
在ARM内核中有四个功能模块可供生产厂商根据不同用户的不同要求来配置生产。这四个模块分别用T、D、M和I来表示。 

T：表示Thumb,该内核可从16位指令集扩充到32位ARM指令集。 

D：表示Debug,该内核中放置了用于调试的结构,通常它为一个边界扫描链JTAG,可使CPU进入调试模式,从而可方便地进行断点设置、单步调试。 

M：表示Multiplier,是8位乘法器。 

I：表示EmbeddedICE Logic,用于实现断点观测及变量观测的逻辑电路部分,其中的TAP控制器可接入到边界扫描链。 

ARM7 

ARM7采用ARMV4T（Newman)结构,分为三级流水,空间统一的指令与数据Cache,平均功耗为0.6mW/MHz,时钟速度为66MHz,每条指令平均执行1.9个时钟周期。其中的ARM710,ARM720和ARM740为内带Cache的ARM核。 

ARM9 

采用ARMV4T（Harvard)结构,五级流水处理以及分离的Cache结构,平均功耗为0.7mW/MHz。时钟速度为120MHz-200MHz,每条指令平均执行1.5个时钟周期。与ARM7系列相似,其中的ARM920、ARM940和ARM9E为含Cache的CPU核。性能为132MIPS（120MHz时钟,3.3V供）或220MIPS（200MHz时钟）。 

ARM10 

ARM10采用ARMV5T结构,六级流水处理,指令与数据分离的Cache结构。平均功耗为1000mW,时钟速度为300MHz,每条指令平均执行1.2个周期,其中ARM1020为带Cache的版本。 



ARM10 TDMI：与所有ARM核在二进制级代码兼容,内带高速32X16MAC,预留DSP协处理器接口。其中的VFP10（矢量浮点单元）为七级流水结构。 

ARM1020T：ARM10TDMI+32KI&D Caches+MMU结构,300MHz时钟,功耗为1W（2.0V供电）或00mW（1.5V供电）。指令Cache和数据Cache分别为32K,宽度为64bits。能够技术多种商用操作系统。适用于下一代高性能手持式因特网设备及数字式消费类应用。 

StrongARM 

StrongARM处理器采用ARMV4T的五级流水结构。目前有SA110、SA1100以及SA1110等三个版本（见表2）。