【Nature Communications】超高介电常数材料 Hf0.5Zr0.5O2(HZO)
2025年3月8日,复旦大学的AnQuanJiang等人在《NatureCommunications》期刊发表了题为《UltrahighdielectricpermittivityinHf0.5Zr0.5O2thin-filmcapacitors》的文章,基于原子层沉积(ALD)技术制备Hf0.5Zr0.5O2(HZO)薄膜电容器并结合近边缘等离子体处理的方法,研究了其介电性能,实验结果表明在Hf