IGBT

IGBT模块封装

34mm（FD150R12RT4）。62mm（FD300R06KE3）。EconoDUAL3（FF300R12ME4_B11）。EconoDUAL3（FD600R06ME3_S2）。EconoPACK2（IFF300B12N2E4P_B11）。EconoPACK+（FS300R12OE4_B81）。EconoPACK4（F3L300R07PE4P）。EconoPIM2（FP30R06KE3）。Ec
队长-Leader·2020-09-13 19:33

IGBT参数说明

一、开通延时。t1时刻Vge上升到10%，t2时刻Ic上升到10%，开通延时td(on)=t2-t1。二、关断延时。t1时刻Vge下降到90%，t2时刻Ic下降到90%，关断延时td(off)=t2-t1。三、上升时间。t1时刻Ic上升到10%，t2时刻Ic上升到90%（不算过冲部分），上升时间tr=t2-t1。四、下降时间。t1时刻Ic下降到90%，t2时刻Ic下降到10%，下降时间tr=t2-
队长-Leader·2020-09-13 19:01

开关电源的电感选择和布局布线

按拓扑结构分，有Boost、Buck、Boost-Buck、Charge-pump等；按开关控制方式分，有PWM、PFM；按开关管类别分，有BJT、FET、IGBT等。
打怪升级ing·2020-09-13 06:46

《机电传动控制》（2017）第十一周作业

1.直流电机单闭环调速系统比例控制仿真针对第三周作业中给出的直流电机模型参数，在PLECS中建立一个直流电机单闭环调速系统，控制器使用比例控制，调压装置可选用（晶闸管整流电路/IGBT斩波电路/理想可控电压源
angtongzhe8657·2020-09-12 15:26

SiC and GaN vs. IGBTs争夺霸权，迫在眉睫的拔河比赛

他们准备接手基于绝缘栅双极晶体管（IGBT）技术的设计。要克服的一个大因素是相对较高的价
踏实的大树·2020-09-11 20:16

股价从高位下跌40%，如今市盈率仍高达200，斯达半导的“底”在哪？

但上市一个月后，IGBT行业龙头斯达半导（603290.SH）董秘与投资者在上交所“e互动”平台上玩起了“捉迷藏”，2020年3月11后再也没有回复过任何提问。
华夏时报·2020-09-03 00:00

基于PIC单片机的SPWM控制技术

通过具体试验，由SPWM来控制IGBT逆变系统的运行。最后给出了软硬件结合设计方法，结合试验结果波形进行谐波分析。此方法在UPS的设计中有较强的实用价值。
skyyunmi·2020-08-24 06:28

dsPIC33F的IGBT控制PWM

/***************************************************************************************名称：PWM调试程序*说明：要求PWM6H输出40%占空比方波，PWM7H输出60%占空比方波，PWM6L和PWM7L始终为高（CS240决定）*其他：如有能力，要求PWM6H与PWM7H输出180°移相**********
Augusdi·2020-08-24 05:53

EDC|太美eCollect会是EDC系统的明日之星吗？

人们也不会注意到在2005年，王传福就布局车用IGBT。冰心说“成
Tim'·2020-08-19 23:46

绝缘栅双极晶体管IGBT

绝缘栅双极晶体管（Insulated-gateBipolarTransistor——IGBT或IGT）综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。IGBT的结构
Andres_Lionel·2020-08-14 03:25

关于IGBT(绝缘栅双极型晶体管）

来源：中投证券IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。
OnePlusZero·2020-08-14 03:24

IGBT基础与运用

IGBT基础与运用IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点
Unique_Eric·2020-08-14 02:58

IGBT

IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor)，所以它是一个有MOSGate的BJT晶体管。奇怪吧，它到底是MOSFET还是BJT？其实都不是又都是。
qicaipiao·2020-08-14 02:26

米勒电容和米勒效应

之前我们在介绍MOS和IGBT的文章中也有提到米勒电容和米勒效应的概念，在IGBT的导通过程分析的文章中我们也简单提到过米勒平台，下面我们来详细地聊一聊。
Cherylzzx·2020-08-13 10:07

DSP C2000系列TMS320F28335学习之EPWM

前言PWM脉宽调制技术在控制领域中是非常常用的技术，电机控制、电源控制等都是通过PWM进行驱动IGBT或MOSFET等开关器件进行相关控制的。
lhm8013·2020-08-09 01:23

工艺增强提高电机驱动应用的IGBT效率

选择IGBT时，设计师面对的是一批建筑的选择，有利于IGBT的一种形式，如对称与不对称阻塞，在另一个。本文将回顾由不同的IGBT架构提供的设计选项。
刷脸时代·2020-08-07 18:21

IGBT的驱动和过流保护电路的研究

IGBT的驱动和过流保护电路的研究1引言绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTramistor，IGBT)是MOSFET与GTR的复合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、
tosharpCG·2020-08-04 18:02

变频器控制电机为什么会漏电？

漏电成绩发生的缘由变频器我们都晓得电动机的三相定子绕组流过电流发生旋转磁场，依据磁电感应的原理，电动机的外壳就会发生感应电动势，此电动势的大小就取决于变频器IGBT的开关频率的大小，由于高功能的控制要求高的开关频率
鸿全机电设备·2020-08-01 03:13

哪家薄膜电容器质量比较好？

工作条件的变化对电子系统中的电容元器件的性能提出新的要求，从而拉动了汽车产业对薄膜电容器的需求薄膜电容器是电动汽车驱动电路中的主要元件，主要起平滑的作用逆变器将电池的直流电通过转换器转换成变动较小的电压，再通过IGBT
汽车润滑油代理·2020-07-31 12:25

电源

八十年代末期和九十年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导
zr2856504·2020-07-30 13:44

stm32 死区 刹车 pwm

====================================================================死区,简单解释:通常,大功率电机、变频器等，末端都是由大功率管、IGBT
gtkknd·2020-07-30 12:02

DXP2004元件库中常用元件

）2、电感（inductor*）3、电容（cap*，capacitor*）4、二极管系列（diode*，d*）5、三极管系列（npn*，pnp*，mos*，MOSFET*，MESFET*，jfet*，IGBT
Create_Joy·2020-07-30 06:21

一些IGBT驱动芯片对比

对于IGBT电压型功率器件，目前有多种带保护和隔离的集成驱动芯片，如IR2110、EXB841、M57962等，它们具有隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳定的优点[2]。
工作和兴趣是一致的，也是一种幸福·2020-07-29 17:24

MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理的学习（1）

1.MOSFET相对于三极管的优势其中一个优势是，MOSFET器件在高频开关应用中使用应用非常重要。MOSFET晶体管更加容易驱动，因为其控制电极与导电器件隔离，所以不需要连续的导通电流。一旦MOSFET晶体管开通，它的驱动电流几乎为零。而且，控制电荷大量减少，MOSFET晶体管的存储时间也相应大幅减少。这基本上消除了导通压降和关断时间之间的设计权衡问题，而开通状态压降与控制电荷成反比。2.影响开
纯天然无公害的小白·2020-07-29 07:30

MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理学习（2）

1.PWM直接驱动驱动主开关晶体管栅极的最简单方法是利用PWM控制器的栅极驱动输出，如图（1）如图8中所示，PWM控制器和MOSFET之间可能有较大距离。由于栅极驱动和接地环路迹线形成的环路，这个距离形成了寄生电感，从而降低了开关速度，并导致栅极驱动波形中形成振铃。为了降低与栅极驱动连接相关的电感，需要更宽的PCB迹线。（2）直接栅极驱动的另一个问题是PWM控制器的驱动电流能力有限。极少有集成电路
纯天然无公害的小白·2020-07-29 07:30

半导体芯片产业链公司大全

一、IC设计（Fabless）公司：华为海思（手机），紫光展锐（手机）、华大（IC卡）、智芯微（电网）、汇顶科技（指纹）、士兰微（MEMS、IGBT）、硅谷数模（图像传输）、韦尔股份（半导体设计）、大唐
weixin_33908217·2020-07-28 18:12

GAN,IGBT, MOSFET

而占功率半导体器件最大份额的IGBT和MOSFET产品方面，目前仍是欧
yazhouren·2020-07-12 18:29

PWM 死区问题 记下

以两电平为例，每个桥臂上有两个电力电子器件，比如igbt。这两个igbt不能同时导通，否则就会出现短路的情况。因
公孙璃·2020-07-12 05:24

N76E003 PWM程序及分析2（互补模式&死区插入）

首先我们需要了解，什么是“死区时间”通常,大功率电机、变频器等，末端都是由大功率管、IGBT等元件组成的H桥或3相桥。
XS30·2020-07-12 04:27

pspice学习笔记（1）--元器件代号、库及软件各组件分析

1，pspice中支持的元器件类别及其字母代号：半导体器件：BGaAs场效应晶体管;MMOS场效应晶体管（mosfet）;Q双极晶体管;Z绝缘栅双极晶体管（IGBT）;J结型场效应晶体管（JFET）常见器件
今天风和日丽·2020-07-11 00:31

什么是PWM“死区”？

以两电平为例，每个桥臂上有两个电力电子器件，比如IGBT。这两个IGBT不能同时导通，否则就会出现短路的情况。因此，设计带死区的PWM波可以防止上下两个器件同时导通。也就是说，当一个器件导通后关闭
ybhuangfugui·2020-07-10 20:08

Buck工作原理分析，连续模式，断续模式

Part01：Buck电路工作原理：图1-1Buck电路拓扑结构Buck电路的拓扑结构如图1-1所示：（1）input接输入电源，既直流电动势；（2）IGBT1为开关管，可以选择以全控型开关管为主，对于高频状态多使用
weixin_30847271·2020-07-10 19:56

MOS管“炸”与“不炸”，核心因素就在这

众所周知MOS管是电源开关中不可或缺的重要保护器件之一，深受电子行业的青睐，但与此同时我们也明白开关电源中MOS管、IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。
weixin_43747182·2020-07-08 21:39

变频器硬件更换注意事项?

A.IGBT的更换。要测量各路阻值是否平衡。B.主控板的更换。更换主控板后，需设置变频器的应用参数，电机参数，保护参数。C.驱动板的更换，需仔细核对插头与插座的编号是否一致，是否有插座是的。
鸿全机电设备·2020-07-08 18:56

[经验] （转帖）IGBT终于不炸了！详解逆变H桥IGBT单管驱动+保护

转自《电力电子网》大家都知道，IGBT单管相当的脆弱，同样电流容量的IGBT单管，比同样电流容量的MOSFET脆弱多了，也就是说，在逆变H桥里头，MOSFET上去没有问题，但是IGBT上去，可能开机带载就炸了
zheng0611·2020-07-08 09:56

联想公布投资芯片公司名单：比亚迪半导体、寒武纪等在列

比亚迪半导体是比亚迪旗下的全资子公司，也是目前国内最大的车规级IGBT厂商。
itwriter·2020-07-08 08:00

大功率IGBT驱动技术的现状与发展

1引言电力电子技术在当今急需节能降耗的工业领域里起到了不可替代的作用;而igbt在诸如变频器、大功率开关电源等电力电子技术的能量变换与管理应用中，越来越成为各种主回路的首选功率开关器件，因此如何安全可靠地驱动
tosharpCG·2020-07-08 07:12

IGBT的驱动功率计算

对于IGBT-LD7533GL的门极所需的驱动功率的大小计算，我们经常在拿到IGBT规格书的时候会根据其中的Qg或者输入电容Ciss(Ciss=Cge+Cgc)做一个大致的计算,P=QgΔVgef或者P
q695532839q·2020-07-07 19:03

电赛DC-DC开关电源：BUCK电路详解和应用

一、BUCK电路的基本电路结构如图电路主要元器件包括开关管T（物理实现可以用IGBT，MOSFET），续流二极管D，储能电感L，输出滤波电容C及负载电阻R。输入直流电源为Us，输出直流电压为Uo。
电子圈的哪些事儿·2020-07-07 15:43

IGBT最不为人知的神秘损坏原因！

尤其在使用单相交流电源的电磁炉电路中，千篇一律的采用大同小异的电源电路结构，如图中所示，R1与C1+C2之和的乘积——放电时间常数，远远大于交流电半周期的时间（10毫秒），因此，每个半周期所充的电压都无法在本半周期及时释放，总是与下半周期方向相反的电源电压中和激荡出高尖峰电压，尤其当电源自身存在浪涌冲击时，会带来更强烈的高尖峰电压，即使在整流桥的前后都放置了电感，都无法有效的遏止这些高尖峰电压向后
ardtek·2020-07-07 03:20

IGBTMOS管的工作原理及检测方法

IGBT又称MOS管，是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。其输入极为MOS管输出极为PNP晶体管。
weixin_43747182·2020-07-06 19:23

IGBT简介、结构及原理

所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。
打怪升级ing·2020-07-06 19:40

IGBT是啥？看完这篇文章你还不明白就不要再做电子行业。

然而在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(PowerDisceret)嘛，都很瞧不上眼。
tosharpCG·2020-07-06 18:37

MOSFET与IGBT的区别详细分机及去举例说明-KIA MOS管

对MOSFET与IGBT详细的区别分析以及举例说明MOSFET和IGBT内部结构不同，决定了其应用领域的不同。
树卡花·2020-07-06 18:19

MOSFET、IGBT的结构与工作原理详解

来自百度百科先学习一下MOSFET图1是典型平面N沟道增强型NMOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图所示。图1从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一
飞由于度·2020-07-06 15:40

IGBT与MOS管的区别，IGBT与可控硅的区别，IGBT驱动电路设计

目录IGBT和MOS管的区别：IGBT和可控硅的区别：IGBT驱动电路设计：1、IGBT驱动电路的设计2、IGBT驱动器的选择3、IGBT驱动电路的设计IGBT和MOS管的区别：IIGBT在结构上是NPN
zhuimeng_ruili·2020-07-06 13:29

栅极驱动参数对IGBT开通的影响

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET
刘纳尔多到底有多多·2020-07-06 11:28

汽车芯片：半导体芯片巨头加速成长

汽车半导体按种类可分为功能芯片MCU(MicrocontrollerUnit)、功率半导体(IGBT、MOSFET等)、传感器及其他。
人工智能学家·2020-07-04 12:02

BLDC电机中的死区时间究竟是什么？

BLDC会通过IGBT电路进行驱动，驱动原理图大致如下图：其中上边三个管子“管的是正极”（原谅我不会用专业术语，本人不是专门搞电机和电气的，哈哈哈）。下边三个管子“管的是负极”。
不会焊电路·2020-07-04 09:48

MOS管和IGBT管有什么区别？

关注、星标公众号，不错过精彩内容来源：电子电路在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？
ybhuangfugui·2020-06-30 06:28
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