IGBT

VSC-HVDC直流输电matlab仿真模型

微❤关注“电气仔推送”获得资料（专享优惠）VSC-HVDC直流输电仿真，换流站采用两电平结构，全控型器件（IGBT），采用双环控制，包括电压外环，电流内环，分为d、q两路，电压外环利用直流电压参与PI调节
学习不好的电气仔·2023-10-07 08:03

SCT52A40，对标UCC27200、UCC27201半桥驱动IGBT/MOSFET栅极驱动器

特点：•8-24V宽供电电压•驱动高侧和低侧N通道MOSFET•4A峰值输出源电流和汇电流•升压电源电压范围可达120V•集成阴极负载二极管•TTL兼容输入，-10V输入•45ns传输延迟•1000pF负载下7ns上升和4.5ns下降时间•2ns延迟匹配时间•静态电流252uA•15ns输入去抖时间•最小脉冲宽度40ns•供电轨欠压锁定（UVLO）•在-40°C~150°C温度下运行•SOP-8L
Yyq13020869682·2023-09-29 10:09

国产化SCT52241双通道下管IGBT/MOSFET栅极驱动器，可替代UCC27525A、ISL89165等

可替代UCC27525A、ISL89165的SCT52241SCT52241是是一款宽供电电压、双通道、高速、低测栅极驱动器，包括功率MOSFET，IGBT。
Yyq13020869682·2023-09-29 10:09

数明SLM27517能驱动MOSFET和IGBT功率开关 低侧栅极驱动器兼容UCC27517

SLM27517单通道，高速，低侧栅极驱动器器件可以有效地驱动MOSFET和IGBT功率开关。
Hailey深力科·2023-09-29 10:39

国产SCT52A40，对标UCC27200、UCC27201，半桥驱动IGBT/MOSFET栅极驱动器

SCT52A40是一种宽电源，高频栅极驱动器，包括高压侧和低压侧驱动器，用于半桥、全桥和降压电路和驱动离散N型MOSFET的转换器。4A峰值电流和汇电流能力可提高功率转换器的功率效率。SCT52A40具有宽输入滞后，与TTL低电压逻辑兼容。SCT52A40能够处理低至-10V的负输入，从而提高输入噪声抗扰度。在HS引脚上承受最大-18V电压,扩展SCT52A40应用程序的灵活性，以处理切换节点噪声
Yyq13020869682·2023-09-29 10:09

可替代UCC27200和UCC27201的半桥驱动IGBT/MOSFET栅极驱动器SCT52A40

SCT52A40是一种宽电源，高频栅极驱动器，包括高压侧和低压侧驱动器，用于半桥、全桥和降压电路和驱动离散N型MOSFET的转换器。4A峰值电流和汇电流能力可提高功率转换器的功率效率。SCT52A40具有宽输入滞后，与TTL低电压逻辑兼容。SCT52A40能够处理低至-10V的负输入，从而提高输入噪声抗扰度。在HS引脚上承受最大-18V电压,扩展SCT52A40应用程序的灵活性，以处理切换节点噪声
Yyq13020869682·2023-09-29 10:38

应用在IPM接口隔离领域中的光电耦合器

IPM即IntelligentPowerModule(智能功率模块)的缩写，它是通过优化设计将IGBT连同其驱动电路和多种保护电路封装在同一模块内，使电力变换装置的设计者从繁琐的IGBT驱动和保护电路设计中解脱出来
nanfeng775a·2023-09-29 06:29

采用小型封装、RGCL80TS60GC11、RGWS00TS65DGC13、RGW50TK65GVC11场终止沟槽型IGBT具有高速开关。

一、RGW650V场终止沟槽型IGBTRGW650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。RGWIGBT具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。
Mandy_明佳达电子·2023-09-24 07:50

Module，NXH50M65L4C2ESG、NXV08V110DB1、FSBB10CH120DF 三相反相器、IGBT 模块

一、NXH50M65L4C2ESG650V50ACONVERTER-INVERTER-PFCS简介：NXH50M65L4C2ESG是一款采用先进基板的传递模塑电源模块，包含一个转换器-逆变器-PFC电路，该电路由四个75A、1600V整流器的单相转换器、六个带反向二极管的50A、600VIGBT、两个带反向二极管的75A、650VPFCIGBT的2通道交错式PFC、两个50A、650VPFC二极管
Summer-明佳达电子·2023-09-22 22:11

自动化涂覆技术在IGBT生产中的应用

前言导热硅脂目前被广泛使用在散热器的IGBT安装面上，其目的在于填补各器件安装面与散热器之间的间隙，达到更均匀、更有效的散热效果，避免器件因散热不佳，导致温度过高而损坏。
北钢联工业智能装备定制专家·2023-09-20 03:41

pwm一个时间单位_「硬见小百科」什么是PWM“死区”？

以两电平为例，每个桥臂上有两个电力电子器件，比如IGBT。这两个IGBT不能同时导通，否则就会出现短路的情况。因此，设计带死区的PWM波可以防止上下两个器件同时导通。
weixin_39936403·2023-09-19 02:56

什么是PWM死区

以两电平为例，每个桥臂上有两个电力电子器件，比如IGBT。这两个IGBT不能同时导通，否则就会出现短路的情况。因此，设计带死区的PWM波可以防止上下两个器件同时导通。
李仪筝·2023-09-19 02:56

利用DSP中EWPM模块产生带死区PWM波来驱动IGBT开断进而控制电压

最近比较忙，许久未写博文，今天打算聊一下如何利用DSP中EWPM模块产生带死区PWM波来驱动IGBT开断进而控制电压（笔者这里利用TMS320F28377D的程序进行演示）。
Alley爱电子·2023-09-19 02:56

什么叫死区时间_关于pwm死区时间的介绍

死区时间是PWM输出时，为了防止上下桥臂IGBT不会因为开关速度问题发生同时导通而设置的一个保护时段，通常也指PWM响应时间。
weixin_39651488·2023-09-19 02:26

pwm一个时间单位_关于PWM“死区”时间知识解析

以两电平为例，每个桥臂上有两个电力电子器件，比如igbt。这两个igbt不能同时导通，否则就会出现短路的情况。
weixin_39710106·2023-09-19 02:26

有关PWM“死区”时间

以两电平为例，每个桥臂上有两个电力电子器件，比如igbt。这两个igbt不能同时导通，否则就会出现短路的情况。因此，设计带死区的pwm波可以防止上下两个器件同时导通
吾息·2023-09-19 02:25

高电压+大电流 IGBT静态参数测试解决方案

近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件,并得到越来越广泛的应用,那么IGBT的测试就变的尤为重要了。
whpssins·2023-09-15 22:39

IGBT和碳化硅SiC模块，全球市场总体规模，前二十大厂商排名及市场份额

IGBT模块与碳化硅SiC模块全球市场总体规模2023年全球IGBT模块市场规模大约为67亿美元，预计2029年将达到145亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为13.6%。
恒州博智QYResearch咨询·2023-09-12 15:17

AMEYA360：士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力

随着人们对环保意识的提高和汽车驾驶体验感的不断追求，新能源汽车的市场需求逐渐增大，已然成为汽车发展的大趋势，但是新能源汽车充电时间长、续航里程短等问题仍然是汽车厂商和车主们的痛点。因此，需要更好的汽车驱动产品来实现“充电五分钟续航百公里”的效果。针对这一需求，士兰微电子近期推出了一款高性能的汽车驱动模块——600A/1200VIGBT模块(B3模块),它能够提升新能源汽车充电速度和行驶动力，为用户
皇华ameya·2023-09-08 08:09

光耦智能门驱动器中去饱和度故障检测

去饱和故障检测电路为电源半导体开关（IGBT或MOSFETs）提供保护，以防止可能导致这些电源开关损坏的短路电流事件。
腾恩科技·2023-09-07 09:07

1200V的SiC - Trench - MOSFET的性能和耐久性

该器件旨在平衡低导通损耗和Si-IGBT类似的可靠性。介绍了45mΩ/1200VCoolSiCTMMOSFET的静态和动态性能以及短路能力的基本特点。
幻象空间的十三楼·2023-09-06 05:25

IGBT的绘制与逆变器的绘制-Visio制图总结【电控类】（三）

碰巧在AxGlyph软件中有IGBT这个元件，就截图仿着画了一张IGBT的图。下文中会给出一张IGBT图片和两张逆变器图片。
奇妙水果·2023-09-04 03:23

格瑞泰尔蒸汽设备

电磁加热控制器一旦开始工作，控制机芯上大功率开关器件（IGBT）和其他一些元件必定会逐渐发热发烫的，所以就需要对控制板进行降温处置，防止由于控制板温度过高，破坏电子元件。
寇璇·2023-09-03 06:36

CSC2121A

半桥架构的栅极驱动电路CSC2121ACSC2121系列是一款高性价比的半桥架构的栅极驱动专用电路，用于大功率MOS管、IGBT管栅极驱动。
QQ2169636881·2023-09-02 04:18

GaN的应用

GaN器件更适合于40-1200V的高频应用，GaN在600V/3KW以下的应用场合更占优势，在微型逆变器、伺服器、马达驱动、UPS等领域与传统的MOSFET或IGBT展开竞争，让电源产品更为轻薄、高效
ting888·2023-08-22 17:48

变频器（VFD）

变频器靠内部IGBT的开断来调整输出电源的电压和频率，根据电机的实际需要来提供其所需要的电源电压，进而达到节能、调速的目的，另外，变频器还有很多
乐在释怀·2023-08-21 18:53

600V EasyPIM™ IGBT模块FB30R06W1E3、FB20R06W1E3B11、FB20R06W1E3降低了系统成本和损耗，可满足高能效要求。

EasyPIM™IGBT模块是一种三相输入整流器PIMIGBT模块，采用TRENCHSTOP™IGBT7、发射器控制7二极管和NTC/PressFIT技术。
Mandy_明佳达电子·2023-08-18 21:56

（晶体管）650V IKZA75N65SS5Z 沟槽型场截止 ，IKD10N60RC2和 IKD15N60RC2ATMA1 600V IGBT可节省高达60%的PCB空间。

TRENCHSTOP™5分立式IGBT是满足客户卓越效率和高功率密度要求的理想之选。
Mandy_明佳达电子·2023-08-18 21:56

一文了解汽车芯片的分类及用途介绍

功率器件集成度较低，属于分立器件，主要包括电动车逆变器和变换器中的IGBT、MOSFET等。传感器则包括智能车上的雷达、摄像头等。一、车规级MCU芯片车规级MCU芯片是汽车电子控制单元（EC
深圳市颖特新科技有限公司·2023-08-17 22:26

车规级半导体分类(汽车芯片介绍)

按照功能种类划分，车规级半导体大致可分成以下几类：主控/计算类芯片，如MCU、CPU、FPGA、ASIC和AI芯片等；功率半导体，如IGBT和MOSFET；传感器，如CIS、加
深圳市颖特新科技有限公司·2023-08-17 22:24

IGBT是什么东西 中国IGBT前五大品牌排名

IGBT是绝缘栅双极晶体管的英文简称，是一种半导体开关器件。它通常具有三个端子：集电极、发射极和栅极。集电极和发射极都带有金属层，而栅极上的金属材料包含二氧化硅层。
深圳市颖特新科技有限公司·2023-08-11 06:27

图腾柱电路

驱动MOS或者IGBT管，需要比较大的驱动电流或者灌电流使用图腾柱电路或许是一个好的办法电流路径是这样的当CTL1端口输出为高电平的时候三极管Q2的2脚为高，三极管Q2不导通三极管Q1的2脚为高，三极管导通所以
凌迟老头·2023-08-05 22:29

2023年电赛A题报告模板--可直接使用

采用基于STM32F407的主控，并配合IGBT驱动模块搭建系统。选用高压IGBT模块和电容滤波器，以提供稳定的功率输出和改善输出电压的稳定性，同时减小谐波畸变。
牧子川·2023-08-04 19:18

【2023年电赛国一必备】F题报告模板--可直接使用

采用基于STM32F407的主控，并配合IGBT驱动模块搭建系统。选用高压IGBT模块和电容滤波器，以提供稳定的功率输出和改善输出电压的稳定性，同时减小谐波畸变。
牧子川·2023-08-04 19:18

IR2104/03 TLP250

闸门驱动电源范围从10–20V欠电压锁定高侧输出与输入同步关闭输入将关闭这两个通道两个信道的匹配传输延迟IR2104(S)高压、高速功率MOSFTE和IGBT驱动器，具有依赖的高侧和低侧参考输出通道绝对最大额定参数
zmyyyyu·2023-07-26 13:51

应用在电磁炉中的常用IGBT管 IHW20N135R5 优势及其特性

应用在电磁炉中的常用IGBT管IHW20N135R5深力科在TO-247封装中具有单片集成反向导通二极管的反向导通R51350V，20ARC-H5IGBT已针对感应烹饪应用的苛刻要求进行了优化。
Hailey深力科·2023-07-24 07:45

自举电路工作原理和自举电阻和电容的选取

自举电路的工作原理如下图自举电路仅仅需要一个15~18V的电源来给逆变器的驱动级提供能量，所有半桥底部IGBT都与这个电源直接相连，半桥上部IGBT的驱动器通过电阻Rboot和二极管VF连接到电源Vb上
32RayZer·2023-07-20 18:16

IGBT器件静态测试需要哪些仪器？

IGBT测试难点：1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。
whpssins·2023-07-20 03:31

国鼎代理TP7512KTS1是75A，1200V高可靠性IGBT模块技术参数特征

主要特征低VCE(sat)低开关损耗内置快恢复二极管Tvjop=150°CVCE(sat)带正温度系数极限参数除非另有说明,否则TA=25ºCIGBT,逆变器符号参数参数范围单位VCES集电极—发射极电压1200VVGES栅极-发射极电压±20VIC连续集电极电流(TC=95℃),Tvjmax=175°C75AICpulse集电极脉冲电流(tp=1ms)150APtot耗散功率(TC=25℃),T
Gotinggz·2023-07-18 20:56

国鼎IGBT-TRW(E/G)5065NH1是50A，650V高可靠性IGBT，具有高速开关特性、及低导通损耗和开关损耗等特点

主要特征50A，650V,VCE(sat)=1.8V@IC=50A饱和压降为正温度系数，易于并联使用低开关损耗内置快恢复二极管高速开关特性高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性极限参数除非另有说明,TA=25ºC符号参数参数范围单位VCE集电极—发射极电压650V栅极-发射极电压±20VIC集电极电流(TC=25℃)80A集电极电流(TC=100℃)50AICpulse集电极脉冲电流150AIF二极
Gotinggz·2023-07-18 20:25

SCT52240双路 4A/4A 高速MOSFET/IGBT栅极驱动器, 可并联输出

SCT52240是是一款宽供电电压、双通道、高速、低测栅极驱动器，包括功率MOSFET，IGBT。单个通道能够提供高达4A拉电流和4A灌电流的轨到轨驱动能力，并实现轨到轨输出。
Yyq13020869682·2023-07-18 13:31

二极管正向压降测试仪适合在哪里应用？

二应用场合IGBT均流、IGBT筛选、二极管筛选、mos管筛选、低电阻测试三技术参数项目参数单位脉冲电流调节范围0~100.0A脉冲宽度300~1000us正向压降测量范围0~80~10V@100AV@
aikstech·2023-07-14 20:22

二极管正向压降测试仪 0~1,10,100A可换挡

二应用场合0~1A：（高压二极管：定制60V）、1A内的MOS管和二极管、1~10Ω电阻；0~10A：中功率二极管、MOS管、0.1~1Ω电阻；0~100A：大功率二极管、MOS管、IGBT管、0~0.1Ω
aikstech·2023-07-14 20:52

LTV-6314-ASEMI代理台湾光宝高速光耦LTV-6314

编辑：llLTV-6314-ASEMI代理台湾光宝高速光耦LTV-6314型号：LTV-6314品牌：台湾光宝封装：LSOP-6引脚数量：6类型：光耦特性：台湾光宝、IGBT驱动器、储能专用光耦＼高速光耦封装尺寸
ASEMI99·2023-06-22 20:21

LTV-5341-ASEMI代理台湾光宝高速光耦LTV-5341

编辑：llLTV-5341-ASEMI代理台湾光宝高速光耦LTV-5341型号：LTV-155E品牌：光宝封装：LSOP-5引脚数量：5类型：光耦特性：台湾光宝、IGBT驱动器、储能专用光耦＼高速光耦封装尺寸
ASEMI99·2023-06-22 20:50

超高压系列IXBX50N360HV、IXBT14N300HV、IXBH32N300高压反向导通 (BiMOSFET™) IGBT器件

器件介绍：超高压系列3000V-3600V反向导通(BiMOSFET™)IGBT将MOSFET和IGBT的优势相结合。
Mandy_明佳达电子·2023-06-20 19:26

650V IGBT 模块（FAM65V05DF1）NTMFD5C470NLT1G和NTMTS0D7N04CTXG（40V）表面贴装 MOSFET

FAM65V05DF1智能电源模块（IPM）是高度集成的固态电源开关，在单个模块中集成了基于IGBT或MOSFET的栅极驱动电路。IPM还包括电源系统免受短路、欠压和极端温度等问题的保护。
Summer-明佳达电子·2023-06-18 11:44

ASEMI代理光宝IGBT驱动器LTV-155E规格，LTV-155E封装

编辑-ZLTV-155E参数描述：型号：LTV-155E储存温度Tstg：-55~+125℃工作温度Topr：-40~+105℃输出IC结温度TJ：125℃总输出电源电压(VCC–VEE)：35V平均正向输入电流IF：25mA反向输入电压VR：5V峰值瞬态输入电流IF(TRAN)：1A输入电流（上升/下降时间）：500ns输出电压VO(PEAK)：-0.5V铅焊料温度Tsol：260℃输入电流（O
qyx3868·2023-06-16 00:31

PM866 3BSE050200R1高压变频器的四种控制方法

高压变频器一般主要有下列几种方案选择：一、直接高压控制（高成本）目前以采用美国罗宾康类似的无谐波变频技术，由低压模块串接起来成为高压输出，其优点是极低的谐波，但是需要专用输入变压器装置，投入成本最高，低频运转时因为IGBT
DCS17750010683·2023-04-21 13:22

台达伺服报警AL016

客户反馈问题，极端低温环境下-20°，伺服开机报警AL016,IGBT温度异常。通过给驱动器升温（烤小太阳），半小时后正常。此故障主要是IGBT模块测温异常，过冷或过热，会报警AL016。
根德高吉勇·2023-04-21 10:07
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