目录1.powergating2.levelshift3.IR-drop1.powergatingpowergating的设计重点如下：1)PowerSwitch的设计；2)PowerGatingcontroller的设计；3)retentionregister和isolationcell的选择及插入；4)PowerGating对area和timing的影响；5)clock和reset模块的设计；

IRdrop的危害因为U=IR,所以IR-drop顾名思义就是压降。其危害有：1。性能（performance）由管子的Tdelay＝c/u可知，电压降低，门的开关速度越慢，性能越差。2。

IR压降（IR-Drop）IR压降是指出现在集成电路中电源和地网络上电压下降或升高的一种现象。

transition等时序信息的TimingFile，也需要包含NetCapacitance和Resistance信息的SPEF文件，功耗分析工具根据timingfile和RCvalue计算功耗或者分析IR-Drop

IR压降是指出现在集成电路中电源和地网络上电压下降或升高的一种现象。随着半导体工艺的演进金属互连线的宽度越来越窄，导致它的电阻值上升，所以在整个芯片范围内将存在一定的IR压降。IR压降的大小决定于从电源PAD到所计算的逻辑门单元之间的等效电阻的大小。SoC设计中的每一个逻辑门单元的电流都会对设计中的其它逻辑门单元造成不同程度的IR压降。如果连接到金属连线上的逻辑门单元同时有翻转动作，那么因此而导致

但是如果加入两个switch，与门电路结合，可能会产生较大的IR-drop，增大delay，所以这种方式很少用。P沟道的switchvdd，广泛应用在volatgescaling设计中。