氮化镓(GaN)FET GAN041-650WSBQ、GAN063-650WSAQ,MK22FN512VFX12R配备32位ARM® Cortex®-M4内核,具有120MHz频率 MCU。
一、氮化镓(GaN)FETGAN041-650WSBQ、GAN063-650WSAQ应用用于工业和数据通信电源的硬开关和软开关转换器无桥图腾柱PFC光伏和UPS逆变器伺服电机驱动器1、GAN041-650WSBQ氮化镓(GaN)FET具有650V漏源电压、47.2A漏极额定电流以及41mΩ最大电阻。GAN041采用TO-247封装,是一款常关型器件,将高压GaNHEMTH2技术和低压硅MOSFET