POCV

SOCV&POCV、global/local variation

ProcessvariationSystematicprocessvariatio：Theexamplesarevariationsduetoopticalproximity,CMPandmetalfilletc.Nonsystematicprocessvariation：OTV、RDF、LERGlobalvaration：由于工艺偏移导致的die-to-die,wafertowafer,lott
晨曦backend·2023-07-13 18:16

论STA | POCV/SOCV 对lib 的要求 （4）

在芯片制造过程中的工艺偏差由globalvariation和localvariation两部分组成。在集成电路设计实现中，globalvariation用PVT跟RC-corner来模拟；localvariation用OCV/AOCV/SOCV来模拟。在40nm之前OCV被广泛采用，但是OCV对同一条path上的所有cell都设同一个derate值，如果设的太严则过于悲观，如果设得太松又会导致过多
diedai7174·2020-07-27 21:39

论STA | SOCV / POCV 之 variation （2）

芯片制造涉及到许多复杂重复的过程，如：光刻、蚀刻、离子注入、扩散、退火。而且都是原子级操作，尽管控制非常严格，但偏差不可避免。工艺偏差会导致芯片物理参数偏差，如：线宽、沟道掺杂浓度、线厚、临界尺寸、栅氧厚度；而物理参数偏差会导致电特性参数偏差，如：线的电容电阻、阈值电压、饱和电流、栅极电容；电特性参数偏差会导致celldelay,celltranstion,netdelay的偏差，这正是STA要如
diedai7174·2020-07-27 21:39
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