新的650 V场停止IGBT使感应加热的效率和可靠性更高

　　主要的努力正在进行感应炉灶制造商增加最大功率和减少烹饪时间，同时也实现高系统效率，以满足严格的能源星级标准。

　　这些趋势为在感应加热系统中选择合适的IGBT是关键的功率半导体产生了新的要求。考虑到可能是10-15年的炉灶的长寿命，正确的IGBT应该提供低功率损失，以有效和高可靠性的能力来实现炉灶的使用寿命。

　　基于系统要求，650 V场停止(FS)沟槽IGBTs，如FGH40T65 SHDF，是理想的感应炉灶和逆变器技术微波炉软开关应用。此外，650 V FS沟道IGBT技术与以前的600 V场停止平面IGBT技术相比具有更低的传导损耗，因为VCE(SAT)特性降低了24%(图1)。额外的50 V更高的击穿电压提供了更大的系统设计裕度和可靠性优势。

　　600 V FS平面与650 V场停止沟槽IGBT的图像

　　图1：600 V FS平面与650 V场停止沟槽IGBT VCE(SAT)。

　　(IC=40 A，TC=25°C，Rg=6欧姆，VGE=15 V)

　　Eoff特征的图像比较

　　(a)新的650 V场停止沟槽IGBT(B)600 V场阻挡平面IGBT

　　图2：EOFF特性的比较(输入功率：3千瓦条件)。

　　最后，新的650 V FS沟道IGBT也具有比前一代600 V场停止平面IGBT更低的EOFF或尾部损耗(图2)。

　　图3示出了IH Cooktop设定条件下的损耗的总结和比较;FSW=25 kHz，(输出功率)PUT: 2.5千瓦。

　　此外，新的650 V场停止沟槽IGBT减少了17%以上的总损耗。

　　图像损失分析的比较摘要

　　图3：新的650 V场停止沟槽IGBT和600 V场停止平面IGBT的损耗分析总结的比较。

　　需要高效节能、高可靠性的IGBT用于软开关应用，如感应炉灶和逆变技术微波炉的设计者应该考虑新的650 V场停止沟槽IGBT。新的现场停止沟槽IGBT技术能够优化开关和传导损耗之间的平衡。