Memory中的Channel/Rank/Bank解析

Memory中的Channel/Rank/Bank解析

最近在看网卡底层驱动的一些资料，被内存bank，rank，channel这些关于memory的名词搞得绕来绕去，网上查了一些资料，说得也不全面。在这里让我们一步一步来拆解memory的神秘面纱，从架构到读写逐步解开这块秘密。

发挥性memory分两种，SRAM与DRAM

RAM(Random Access Memory)随机存取内存，之所以叫做“随机存取”，是因为相对于早期现行存储媒介（磁带？很久以前的）而言，因为磁带的存取是线性的（还记得快进/倒带 那个滋溜爽），存取时间由目前磁带位置和目的位置的距离而定（类似数据结构中的线性表）。需要转动刺头到应有的位置，因此距离越长，转的就越久了，读写时间也越久。而伟大的RAM没有这种限制，存取时间为固定值（类似数组这种下表式访问，下标就是地址），不会因为存储资料在memory中的位置而影响读取时间。

RAM大致可以分为两种：SRAM与DRAM，这两者基本原理上有相同的地方，都是将电荷存储到记忆体内部，由此针对不同的电荷存储0 or 1. SRAM(Static Random Access Memory)静态随机存储memory和DRAM(Dynamic Random Access Memory)有几点不同：SRAM的结构比较复杂，单位面积的容量少，存取速度很快；DRAM则结构简单，单位面积存储的容量比较多，存取时间相对SRAM慢，同时DRAM因为构造比较简单，存储的电荷惠随着时间逐渐消失，因此需要定时再充电（Refresh），以保持电容存储的资料。

由图中的SRAM和DRAM构造可以知道，SRAM采用正反三极管+电容（flip-flop）构造存储器，DRAM则是采用电容式存储（md，这两图看着好熟悉，就是看不懂早忘了，欲哭无泪）。因为SRAM和DRAM的种种特性上的不同，SRAM比较适合作为暂存器，配合CPU快速存取使用。DRAM则适合作为主要的memory记忆体而使用。

易失性存储器与非易失性存储器
易失性存储器/记忆体(Volatile Memory)和非易失性存储器/记忆体(Non-Volatile Memory)之间的差异在于，断电之后是否还可以保存内部存储的资料。挥发性记忆体的资料将会随着失去电力的供应而消失，而非挥发性记忆体依然可以保存有内部的资料。

内存子系统

DRAM由于构造简单，高密度，作为电脑内部的主要记忆体非常适合。但由于主存通常放在CPU之外，从工厂出来的颗粒需要封装和组合之后才可以和CPU相连，因此从CPU到DRAM颗粒之间依次按层级由大到小分为channel > DIMM > rank > chip > bank > row/column。（和lz之前想的差不多，就跟先到哪条街道，哪个小区单元，哪个栋楼，几层几单元的地址格局一样）。下面，让我们来一一说明这些部分：

内存的结构（从上往下，由大到小）

内存从channel到chip的对应关系。这里特别要注意，rank和内存条的面没有必然关系，虽然图中这么画了，但是不要误导大家，就是示意一下，下面会有详细介绍。

chip 再往下拆分为 bank

bank 再往下拆分就是一个个的存储单位，横排为row，纵列为column，每排column的下方都有一个row buffer，用来暂存刚刚读取出来的某个row排的资料。(是不是很简单，是不是很像你家小区的格局？Yeah！so easy ~)

单个DRAM颗粒内部的功能区块图（图片来自Micron)

channel和 DIMM

从内存控制器出来之后，最先到达的是channel，每个channel都需要配有一组内存控制器，2个channel两个……以此类推。而每个channel中能够有很多组DIMM(Dual In-line Memory Module)，DIMM就是目前能够在消费市场上买到的大家平时能看到的内存模组。因为n多年前的主板必须购买内存颗粒（chip）自己插在主板上（想想知道为啥那时候大师都厉害了吧，这组成原理在实践中就得到了锻炼），然后发展出SIMM (Single In-line Memory Module)，将多组内存颗粒(chip)焊在一块电路板上，成为内存模组，再将次电路板插在主板上。接着为了增加吞吐量，将一条内存模组的位宽从SIMM的32bit升级到DIMM的64bit，这个设计沿用至今。

从内存颗粒过度到SIMM的时代，坊间曾出现替使用者将内存颗粒焊接到SIMM电路板上的私活，因为当时的内存条非常贵，所以稍微花点小钱就可以把内存颗粒换到新的电脑上。

rank和chip

rank指的是连接到同一个cs(Chip Select，片选)的所有内存颗粒chips，内存控制器能够对同一个rank的所有chips同时进行读写操作，而在同一个rank的chip也分享同样的控制信号。以目前的电脑来说，因为一组channel的位宽是64bit，所以能够同时读写8byte的资料，如果是具有ECC功能的内存控制器和ECC内存模组，那么一组channel的位宽就是72bit。

rank1和rank2共享同一组addr/command信号线，利用cs片选线选择欲读取或是写入的那一组，之后将存储内容经由MUX多路器送出。

很多人有错误的理解，常以chip的数量或是以内存模组的单/双面对rank进行判断，但实际上应该以内存控制器和内存颗粒的规格进行判断。目前家用PC的内存控制器通道绝大部分是64bit宽，内存颗粒的位宽是8bit。因此8颗颗粒就可以满足内存控制器的需求，也就是一组rank。但偶尔也有以16bit位宽的内存颗粒制成的内存模组，此时4个颗粒chip就是一组rank。

这在采用Intel H61/H81 芯片组 和 传统单channel的主板时需要特别注意，因为Intel限制H64/H81每个channel仅能支持2组rank，而不是4组rank，部分主板每个channel又做了2组内存模组插槽，造成部分使用者同组channel放入2条内存模组（内存条）时能够识别全部的内存容量（对于双面单rank的内存模组是这样），然而部分使用者则仅能识别一半的容量（双面双rank的内存模组）。

bank，row，column

bank再往下分就是实际存储单位元的电路，一般来说横向选择排数的线路称为row(row enable, row select, word line)，纵向负责传送信号的线路称为column(bitline)，每组bank的下方还会有个row buffer(sense amplifer)，负责将读出的row内容暂存，等待column位址送到后输出正确的位元，以及判断存储的内容是0还是1.

一个bank的读取操作。

一个bank的写入操作。

内存的读写方式

上图标明了内存的读写方式，读取时首先内存控制器将1组位址现传到内存上，控制器跟着传送控制信号；如果是多rank的情况，CS也会送到对应信号选择的目标rank上。接着由于每个rank是由多个chip组成，每个chip仅负责部分的资料读取，chip接收到位址信号后，将位址放入内部的row/column解码器找出对应的bank位址（每家厂商每款产品内部的bank组合可能不同，因此相应地也会略有不同），接着开启row线，同一排row的内部内容就会流到row buffer内部，row buffer判断信号为0或是1之后就输出存储内容。

写入时除了位址资料以外，还会传送欲写入的内容至芯片内部的input buffer，同样的也是按照row/column解码器找出对应位址之后写入。

内存控制器和DIMM之间的线路关系

越多越好，加速读写能力

家用电脑的内存控制器已经进入双通道内存控制器多年，加速原理为增加位宽，达到同时读写更多资料的能力。

另一种增加频宽的方法就是减少延迟，利用多个chip或是bank达成。一般的内存读取延迟为 命令下达 + 内存读取延迟 + 输出内容，如果命令下达延迟为2ns，内存读取延迟为10ns，输出内容延迟为2ns，那么读取两笔资料的延迟就是 (2+10+2) × 2 = 28ns。

如果能够将资料拆分到2颗内存颗粒上，那么这两笔读取延迟将降低至2+2+10+2=16ns，因为不需要等到前面一笔资料的读取完成才发出下一笔的读取命令，在第一笔资料进入内存读取时就可发出。这种概念也可应用到目前的SSD上，较多的ce分装的快速记忆芯片，通常都比较少ce封装的芯片来得快。

由时序图可以知道，下凡此种尽量拆分内存空间的作法，可以大幅减少延迟。