BJT与MOSFET与IGBT的区别

一.MOSFET与IGBT的区别

从结构上来讲，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET的区别在于MOSFET 的衬底为N型，IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当于一格MOSFET与BIpolar的组合，通过背面P型层空穴降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流问题，从产品上来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有，MOSFET应用电路则从十几伏到一千左右，结构如下图所示：

                                     

工作原理的区别：

对于MOSFET 来说，仅由多子承担的电荷运输没有任何存储效应，所以很容易实现极端的开关时间。PowerMosfet的开关的高频特性十分优秀，所以可以用在高频场和，在低电压工作状态下，开关管动作损耗远低于其他组件，但是缺点是在高压状态下，压降高，并且随着电压等级的增大，导通电阻也变大。因而其传导损耗比较大，尤其是在高电压应用场合。IGBT是其耐压比较高，压降低，功率可以达到5000w,IGBT开关频率在40-50k之前，开关损耗也比较高，并且会出现擎柱效应。

驱动电路的对比：

驱动电路两种其实差的不是很多，只是IGBT输入电容要比MOS大，因此需要更大电压驱动功率。总之，MOS一般在高频且低压的场合应用（即功率<1000W及开关频率>100kHZ）,而IGBT在低频率高功率的场合表现较好。

二.BJT与MOSFET的区别

1.三极管是电流型器件，MOSFET是电压型器件。

2.三极管功耗大（极大的限制了三极管在集成电路中的应用），场效应管功耗小（集成电路中广泛应用）。

3.场效应管栅极基本不取电流，而三极管的基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻要比三极管的输入电      阻要高。

4.三极管导通电阻大，场效应管导通电阻小，只有几百毫欧，在现在的用电器件上，一般用场效应管用作开关，效率      还算比较高的。

5.场效应管的噪声系数都很小的，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比高的电路中要选择场效应管。

6.三极管是双极性的（内部导电方式：空穴和载流子），场效应管是单极性的（空穴or载流子）。

应用场合：三极管比较便宜，用起来比较方便，常用在数字电路中。MOS常用于高速高频电路、大电流场合，以及对基极和漏极控制电流比较敏感的场合，一般来说，成本场合，普通应用先采用三极管，不行的话再 使用MOS管。

总之在使用场合中，BJT的成本是最低的，MOSFET适用于高速高频的场合，IGBT适用的场合为高压大电流场合。