面向3nm及以下工艺，ASML新一代EUV光刻机曝光

　　很快，台积电和三星的 5nm 工艺即将量产，与此同时，台积电和三星的 3nm 工艺也在持续的研发当中。而对于 5nm 及以下工艺来说，都必须依靠 EUV（极紫外）光刻机才能实现。而目前全球只有一家厂商能够供应 EUV 光刻机，那就是荷兰的 ASML。

　　目前 ASML 出货的 EUV 光刻机主要是 NXE:3400B 及改进型的 NXE:3400C，两者基本结构相同，但 NXE:3400C 采用模块化设计，维护更加便捷，平均维修时间将从 48 小时缩短到8-10 小时，支持 7nm、5nm。

　　此外，NXE:3400C 的产能也从之前的 125WPH（每小时处理晶圆数）提升到了 175WPH。

　　随着去年台积电、三星 7nm EUV 工艺的量产，对于 ASML 的 EUV 光刻机的需求也是快速增长。

　　根据今年 1 月 ASML 发布的 2019 年 Q4 季度及全年财报显示，2019 年全年营收 118.2 亿欧元，同比增长了8%，毛利率从 46% 小幅下滑到了 44.7%，全年净利润 25.92 亿欧元，维持不变。

　　其中，仅在去年四季度，ASML 就出货了 8 台 EUV 光刻机，并收到了 9 台 EUV 光刻机订单。全年 EUV 光刻机订单量达到了 62 亿欧元，总计出货了 26 台 EUV 光刻机，比 2018 年的 18 台有了明显增长，使得 EUV 光刻机的营收占比也从 23% 提升到了 31%。要知道目前一台 EUV 光刻机的价格可超过 1 亿美元。

　　而随着今年台积电、三星 5nm 工艺的量产，则对于 EUV 光刻机的需求进一步提高。根据 ASML 预计，2020 年将会交付 35 台 EUV 光刻机， 2021 年则会进一步提高到 45 台到 50 台的交付量。

　　此外，针对后续更为先进的 3nm、2nm 甚至是 1nm 工艺的需求，ASML 也针对性的规划了新一代的 EUV 光刻机 EXE:5000 系列。

　　据了解，EXE:5000 系列将物镜系统的 NA（数值孔径）提升到了 0.55（数字越大越好，上一代的 NXE:3400B/C的 NA 都是 0.33），可实现小于 1.7nm 的套刻误差，产能也将提升至每小时 185 片晶圆以上，其主要合作伙伴是卡尔蔡司和 IMEC 比利时微电子中心。

　　根据 ASML 公布的信息，EXE:5000 系列光刻机最快在 2021 年问世，不过首发的还是样机，估计 2022 或者 2023 年左右才能够量产交付给客户。

　　而按照目前台积电的和三星的进度来看，今年会量产 5nm 工艺，而 3nm 工艺虽然目前已有突破，但是可能也要等到 2022 年才会量产。

　　按照三星的规划，在 6nm LPP 之后，还有 5nm LPE、4nm LPE 两个节点，随后进入 3nm 节点，分为 GAE（GAA Early）以及 GAP（GAA Plus）两代。去年 5 月，三星的 3nm GAE 设计套件 0.1 版本已经就绪，以帮助客户尽早启动 3nm 的设计，但是量产应该要等到 2022 年以后了。

　　而台积电的目标也是在 2022 年量产 3nm 工艺。据了解，目前台积电的 3nm 进展顺利，已经开始与早期客户进行接触。而台积电新投资 6000 亿新台币的 3nm 宝山厂也于去年通过了用地申请，将于今年正式动工。