ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。

当CS1为HIGH(取消选择)或CS2为LOW(取消选择)或CS1为LOW,CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时,器件将处于待机模式,在该模式下,可通过CMOS输入降低功耗水平。

使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节(UB)和低字节(LB)。

IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封装在JEDEC标准的48引脚迷你BGA(7.2mmx8.7mm)和44引脚TSOP(TYPE II)中。

SRAM芯片型号IS62WV51216,管脚图如下:

SRAM芯片is62wv51216_第1张图片

IS62WV51216的管脚总的来说大致分为:电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线。

特征
•高速访问时间:45ns,55ns
•CMOS低功耗运行
–36mW(典型值)运行
–12µW(典型值)CMOS待机
•TTL兼容接口级别
•单电源
–1.65V--2.2V VDD(62WV51216ALL)
–2.5V--3.6V VDD(62WV51216BLL)
•完全静态操作:无时钟或刷新需要
•三态输出
•高低字节数据控制
•可提供工业温度
•无铅