【原创】DDR3 SO-DIMM 内存条硬件知识

最近想把PCB技术加强一下,特别是差分线和阻抗控制、仿真这类技巧,所以画个笔记本内存条练练手。收集了一些资料在博客中做个整理,本片主要是一些硬件方面的知识。

1、内存条(RAW Card)的版本

从JEDEC下载的标准书中,看到RAW Card被分为A-F六个版本,各个版本之间的差异在表格中可以清楚看出来。

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差异主要在:条上内存颗粒数量、内存颗粒的位宽、内存条的Rank。

这个版本的意思其实是内存条的不同组织形式,每个版本的特征与将来PCB布局布线、和内存条的频率时序都有关系,设计之初就要确定好。

2、DDR3 SDRAM SO-DIMM Pinout

【原创】DDR3 SO-DIMM 内存条硬件知识_第2张图片

CK[1:0]、CK[1:0]、CKE[1:0]:时钟输入与使能,6;(反向线用下划线代替)

RASCAS:行列选通线, 2;                       WE:写使能,1;

DQ[63:0]:数据输入输出,64;                       A[9:0]、A11、A[15:13]:地址输入线,14;

DM[7:0]:数据掩码线,8;                               DQS[7:0]、DQS[7:0]: 数据选通线,16;

BA[2:0]:SDRAM Bank地址线,3;               S[1:0]:芯片选择,2;

A10/AP:地址输入/自动预充电,1;              A12/BC :地址输入/突发传输,1;

SCL、SDA、SA[1:0]、VDDSPD:SPD和TS电源线、寻址和IIC通信线,5;

ODT[1:0]:终端电阻控制线,2;                    RESET:复位引脚,1;

EVENT:温度事件引脚,1;                           Vtt:端接电压,1;

VDD/VSS:核心和IO电源,2;                     VREFDQ/VREFCA:输入输出参考,2;

TEST、NC:保留,未接,3;

3、内存颗粒分类

内存颗粒可以简单分为78-ball FBGA封装的 和 96-ball FBGA封装的两类,差异主要是数据位宽不同,前者x8,后者x16。

4、SPD数据定义

内存条上存在一个EEPROM存储芯片(The Serial Presence Detect ,SPD),容量通常为128B或256B,用于存储改内存条的一些基础信息。主板需要这些信息进行正确的配置,以便正常使用内存条。存储芯片中各字节存储的信息如下表所示。

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5、内存条标签

 例:ggggg eRxff PC3-wwwwwm-aa-bb-ccd


            ggggg = Module total capacity, in bytes256MB, 512MB, 1GB, 2GB, 4GB, etc.
            eR = Number of ranks of memory installed : 1R = 1 rank of DDR3 SDRAM installed
                                                                                          2R = 2 ranks
                                                                                          4R = 4 ranks
            xff = Device organization (bit width) of DDR3 SDRAMs used on this assembly
                                                                                x4 = x4 organization (4 DQ lines per SDRAM)
                                                                                x8 = x8 organization
                                                                                x16 = x16 organization
            wwwww = Module bandwidth in MB/s : 6400 = 6.40 GB/s (PC3-800 SDRAMs, 8 byte primary data bus)
                                                                      8500 = 8.53 GB/s (PC3-1066 SDRAMs, 8 byte primary data bus)
                                                                      10600 = 10.66 GB/s (PC3-1333 SDRAMs, 8 byte primary data bus)
                                                                      12800 = 12.80 GB/s (PC3-1600 SDRAMs, 8 byte primary data bus)
            m = Module Type  :E = Unbuffered DIMM ("UDIMM"), with ECC (x72 bit module data bus)
                                               F = Fully Buffered DIMM ("FB-DIMM")
                                               M = Micro-DIMM
                                               R = Registered DIMM ("RDIMM")
                                               S = Small Outline DIMM ("SO-DIMM")
                                               U = Unbuffered DIMM ("UDIMM"), no ECC (x64 bit module data bus)
            aa = DDR3 SDRAM CAS Latency in clocks at maximum operating frequency
            bb = JEDEC SPD Revision Encoding and Additions level used on this DIMM
            cc = Reference design file used for this design (if applicable)
            d = Revision number of the reference design used


                                                           


 

 

 

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