各种存储器的汇总：flash、RAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、SRAM、DRAM、SDRAM等

Flash：闪存（Flash memory），全称flash EERROM memory；结合了RAM和ROM的优点
可以快速读取数据（NVRAM——non-volatile RAM 非易失性随机存储内存的优点）；

Flash分为两种：nandflash和 norflash；nor flash属于可随机访问，nand flash 属于顺序访问。Norflah可以直接运行，nandflash没有采用随机读取技术，只能一块一块读取，不能直接运行nandflash上的程序。而norflash的优点就是快，但成本也比较高。Nandflash成本低，故一些设计就会采用nandflash+一小块norflash来降低成本。

EEPROM：电可擦除可编程ROM

RAM：（随机存储内存）Random access memory，断电丢失，手机的运行内存，优点快速

ROM：只读存储器（read only memory），计算机发展初期BIOS都是烧写在ROM中，ROM是通过在工厂生产时通过特殊的方法烧录进去的，不能再修改。一旦有错误，只能舍弃重新制作

PROM：可编程（programmable）ROM，制作出厂时没有数据，设计人员通过专用的编程器将自己的资料烧写到PROM中，但机会只有一次，一旦烧写进去就不能修改。

EPROM：可擦除（erasable）可编程ROM,芯片可擦除，说明可重复烧写程序。EPROM有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上·，开有一个玻璃窗口，透过窗口可以看见其内部的集成电路，紫外线透过该窗口照射内部芯片就可以擦除其内的数据，需要用到专门的EPROM擦除器。擦除之后再用专门的编程器写入，完成之后用不透明的贴纸将窗口遮住，以免因为不必要的干扰使得资料受损丢失。

EEPROM：电（electrically）可擦除可编程ROM，不需要借助其他设备，直接用电子信号来修改其内容，而且是以比Byte为最小修改单位，不必全部洗掉才能写入。双电压，写芯片固件时需要专门的电压。
SRAM：静态（static）RAM，速度非常快，CPU内的cache，就采用SRAM，缺点是一个内存单元需要的晶体管多，故价格昂贵，相同体积容量就会小。在上电期间不需要刷新，但是掉电数据会丢失。

DRAM：动态（Dynamic）RAM，容量大，电脑内存条使用的就是DRAM，它的设计结构会使它不断放电，从而电压下降，上电期间故需要不断刷新。

SDRAM：synchrous（同步）DRAM，比SRAM更快，里面有同步电路，在一个时钟周期只传输一次数据；

DDR SDRAM：double data rate SDRAM 双倍速SDRAM 在一个时钟周期传输两次数据，在上升沿和下降沿都传输数据。

@资料来源于互联网，如有侵权请联系我删除。