三星闪存芯片命名规律

1. Memory (K)

2. NAND Flash : 9

3. Small Classification

SLC : Single Level Cell;
MLC : Multi Level Cell;
SM : SmartMedia;
S/B : Small Block

1 : SLC 1 Chip XD Card
2 : SLC 2 Chip XD Card
4 : SLC 4 Chip XD Card
A : SLC + Muxed I/ F Chip
B : Muxed I/ F Chip
D : SLC Dual SM
E : SLC DUAL (S/ B)
F : SLC Normal
G : MLC Normal
H : MLC QDP
J : Non-Muxed OneNand
K : SLC Die Stack
L : MLC DDP
M : MLC DSP
N : SLC DSP
Q : 4CHIP SM
R : SLC 4DIE STACK (S/ B)
S : SLC Single SM
T : SLC SINGLE (S/ B)
U : 2 STACK MSP
V : 4 STACK MSP
W : SLC 4 Die Stack

4－5. Density

12 : 512M
16 : 16M
28 : 128M
32 : 32M
40 : 4M
56 : 256M
64 : 64M
80 : 8M
1G : 1G
2G : 2G
4G : 4G
8G : 8G
AG : 16G
BG : 32G
CG : 64G
DG : 128G
00 : NONE

6－7. organization

00 : NONE
08 : x8
16 : x16

8. Vcc

A : 1.65V~3.6V
B : 2.7V (2.5V~2.9V)
C : 5.0V (4.5V~5.5V)
D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)
E : 2.3V~3.6V
R : 1.8V (1.65V~1.95V)
Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)
T : 2.4V~3.0V
U : 2.7V~3.6V
V : 3.3V (3.0V~3.6V)
W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V
0 : NONE

9. Mode

0 : Normal
1 : Dual nCE & Dual R/ nB
4 : Quad nCE & Single R/ nB
5 : Quad nCE & Quad R/ nB
9 : 1st block OTP
A : Mask Option 1
L : Low grade

10. Generation

M : 1st Generation
A : 2nd Generation
B : 3rd Generation
C : 4th Generation
D : 5th Generation

11. “─”

12. Package

A : COB
B : TBGA
C : CHIP BIZ
D : 63-TBGA
E : TSOP1 (Lead-Free, 1217)
F : WSOP (Lead-Free) 
G : FBGA
H : TBGA (Lead-Free)
I : ULGA (Lead-Free)
J : FBGA (Lead-Free)
K : TSOP1 (1217)
L : LGA
M : TLGA
N : TLGA2
P : TSOP1 (Lead-Free)
Q : TSOP2 (Lead-Free)
R : TSOP2-R
S : SMART MEDIA
T : TSOP2
U : COB (MMC)
V : WSOP
W : WAFER
Y : TSOP1

13. Temp

C : Commercial
I : Industrial
S : SmartMedia
B : SmartMedia BLUE
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception
handling code)
3 : Wafer Level 3

14. Bad Block

A : Apple Bad Block
B : Include Bad Block
D : Daisychain Sample
K : Sandisk Bin
L : 1~5 Bad Block
N : ini. 0 blk, add. 10 blk
S : All Good Block
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)

15. NAND-Reserved

0 : Reserved

16. Packing Type

• Common to all products, except of Mask ROM
• Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)

17~18. Customer “Customer List Reference”

注:这里说的容量单位都是bit,要除以8才是我们常说的容量值.

【举例说明】

K9GAG08U0M 详细信息如下:
1、 Memory (K)
2、 NAND Flash : 9
3、 Small Classification

(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)
G : MLC Normal

4~5、 Density

AG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)

6、 Technology

0 : Normal (x8)

7、 Organization

0 : NONE 8 : x8

8、Vcc

U : 2.7V~3.6V

9、 Mode

0 : Normal

10、 Generation

M : 1st Generation

11、”─”
12、 Package

P : TSOP1 (Lead-Free)

13、 Temp

C : Commercial

14、 Customer Bad Block

B : Include Bad Block

15、 Pre-Program Version

0 : None

K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。

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原文： http://wenku.baidu.com/view/fdde220202020740bf1e9b05.html