第十一届蓝桥杯物联网设计与开发实验——ex6 E2PROM读写实验

基础实验 – 基于省赛资源套装

ex6 E2PROM读写实验

实验目的：掌握芯片内部E2PROM的使用方法。 (注意：因为是按照‘字’的方式写入的，所以写入的地址必须是‘4’的整数倍，否则会进入hard fault）
实验内容：将LED灯闪烁次数写入E2PROM，每次重启设备后，闪烁次数加1，同时E2PROM的数据更新。
实验现象：每次重启设备后，LD5闪烁次数加1。

STM32CubeMX配置

1. 目标选择
2. 引脚分配
3. 外设配置
4. 时钟配置
5. 工程配置

1.目标选择

新建工程

选择MCU 输入STM32L071KB

2.引脚分配

PC15引脚：GPIO_Output（输出模式）

3.外设配置

GPIO输出电平：高
GPIO模式：推挽输出
GPIO上拉电阻/下拉电阻：不上拉电阻/下拉电阻
输出速度：非常快

4.时钟配置

时钟源：旁路时钟源

时钟频率：32MHz时钟

5.工程配置

keil5程序编写

1.选择STM32L071KBUx芯片

2.HAL库函数解析

锁定解锁函数

对 FLASHEx_DATAEEPROM 进行写操作前必须先解锁，使用的 HAL 库函数是：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock()    //解锁函数

在对 FLASHEx_DATAEEPROM 写操作完成之后，我们要锁定 FLASHEx_DATAEEPROM，使用的 HAL 库函数是：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock()    //解锁函数

写操作函数

HAL 库提供了一个通用的FLASHEx_DATAEEPROM写操作函数，该函数声明如下：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data)    //写操作函数

入口参数	描述
TypeProgram	用来区分要写入的数据类型，取值为：FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE（字节：8 位），FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD（半字 ： 16 位 ） ， FLASH_TYPEPROGRAM_WORD （ 字 ： 32 位 ） 和FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD（双字：64 位）
Address	用来设置要写入数据的 FLASHEx_DATAEEPROM 地址
Data	写入的数据类型，这个参数默认是 64 位的，如果你要写入小于 64 位的数据比如 16 位，程序会进行类型转换。

擦拭函数

HAL 提供了一个通用的基于小区擦除的函数 ，该函数声明如下：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address)

入口参数	描述
Address	用来设置要擦拭数据的 FLASHEx_DATAEEPROM 地址）

3.添加代码

在USER CODE BEGIN 1和USER CODE END 1之间添加以下代码

在USER CODE BEGIN 4和USER CODE END 4之间定义EEPROM读函数

在USER CODE BEGIN PFP和CODE END PFP之间声明读函数

在USER CODE BEGIN 2和USER CODE END 2之间添加以下代码