开关电源损耗分析 以Buck为例

PART1:前言

本文以一个12V-2.5V/2A的DC-DC电源为例,阐述BUCK电路损耗产生及其估算算法。
先做以下几点声明:
1、开关电源的主功率开关管的工作区域:开区和关区,实际上是线性区(可变电阻区)和截至区,一定注意,不是饱和区和截止区。
解释1:MOS工作区域的划分可以根据Vds与Vgs-Vth的大小关系判定(Vds表示漏源电压),具体如下:
在这里插入图片描述
当然, 处于线性和饱和区之间,归结在任意一区域即可。

关于为什么开关电源功率管是工作在线性区和截止区的原因有:
【1】线性区时,Vds较小,相对损耗也较小,相反饱和区Vds较大;
【2】线性区时,具有较小的交流阻抗,即电压变化引起的电流变化较大,这样,才符合开关电源工作时,电感电流线性变化的趋势(电感储能阶段电流线性上升),而饱和区MOS具有恒流特性(尽管存在沟道调制效应,但是前提依然是在恒流前提缓慢增加电流跟随于Vds增加,但这增长速度不足以匹配电感电流增长速度);
【3】所谓饱和区,实际上对应BJT的放大区,根据对偶特点,BJT为电流控制型器件,电流饱和的原因是由于Uce达到一定后集电区收集电子的能力饱和;而MOS为电压(电场)控制型器件,电流饱和的原因是载流子速度饱和(I=Qd*v,v不再增加进而I恒定饱和)。

2、对于BUCK变换器,越小的duty(输出电压越低,即输入输出压差越大),那么二极管所在续流回路产生的损耗越大。

PART2:开关电源损耗估算算法

这里介绍的方法不仅针对于BUCK变换器,但对于其他拓扑结构,分析方法大同小异,这里抛砖引玉,不作具体的推导。
图1是典型BUCK电路的原理图,现作以下说明:
开关电源损耗分析 以Buck为例_第1张图片

以及各关键波形如下图2所示:
开关电源损耗分析 以Buck为例_第2张图片

[1]电感电流iL,峰值为Ip,谷值电流Iv;
[2]S为主功率开关管,正向导通压降Vsw_top,导通内阻为Rsw_top(主要为了区分同步整流时下管S_bot);
[3]开关频率为Fs,周期为Ts,占空比D;
[4]续流二极管D的正向压降为VF;

开关电源的损耗主要包括开关器件和二极管的传导损耗(导通损耗)以及开关损耗(交叉损耗或者动态损耗、开关损耗),当然还有在L、C上的传导损耗(等效DCR和ESR上的损耗)。

【1】上管S的损耗

[1-1]S上的传导损耗,主要由duty期间,S正向导通产生;
(由于公式不能编辑,以下公式部分采用截图方式)
开关电源损耗分析 以Buck为例_第3张图片
开关电源损耗分析 以Buck为例_第4张图片

[1-2]S上的交叉损耗,
在开关交替的短暂时间内,由于开启和关闭的延迟效应,导致Uds和Id波形存在交叉三角形区域,进而造成交叉损耗(关断时的Vds和导通后的Ids),在交叉时间间隔内,MOS开启延迟时间ton,关闭延迟toff,如下图3所示;
开关电源损耗分析 以Buck为例_第5张图片

开关电源损耗分析 以Buck为例_第6张图片

但在实际估算时,最好于不用占空比的百分比来计算。

【2】续流二极管损耗分析:

[2-1]传导损耗:

开关电源损耗分析 以Buck为例_第7张图片
[2-2]传导损耗:
开关电源损耗分析 以Buck为例_第8张图片
开关电源损耗分析 以Buck为例_第9张图片

附注:正常开关管+二极管的BUCK结构的损耗由上给出,特别地,当采用同步整理拓扑结构时,下管也是MOS,记为Bot_MOS,损耗分析计算同上管。

【3】储能元件损耗分析:

即电感和电流的损耗分析,主要是传导损耗,类似地,
在这里插入图片描述

PART3:实例分析

以下以本人设计的一款开关电源demo板为例,由于是高压差DC-DC,在效率分析时,首先进行损耗分析计算尤为重要。以下是本次设计的相关参数:

1】VIN=12V,Vo=2.5V,Io_tot=2A,采用Lt8650s-1主芯片设计实现,由于采用的是两相并联输出,故平均每一通道,Io=1A;
【2】该芯片内部采用同步整流结构,
上管top_mos参数:Vsw_top_max=0.3V,Isw_top_max=12A,以rds_top=0.3/12=0.025
下管bot_mos参数:Vsw_top_max=0.12V,Isw_top_max=8.5A,rds_bot=0.12/8.5=0.0143】Fs=2MHz,D=2.5/2=0.214】查找电感手册知rL+rC=0.025】电感电流波动以75%分析,即Ip=1.75A,Iv=0.25A
【6】L=1uH,则上升阶段(12-2.5/1=9.5,下降阶段2.5/1=2.57】ton+toff占最小导通时间的25%,为30ns*0.25=7.5ns

开关电源损耗分析 以Buck为例_第10张图片

可见,开关电源中MOS损耗中动态损耗占主要,尤为表现在高频时。
而在本次设计中,实物的调试数据如下,得到效率为:
在这里插入图片描述
开关电源损耗分析 以Buck为例_第11张图片

注意:上述推导过程中, 开关时间ton+toff,这里采用的估算算法不应该用占空比的百分比来估算,因为在不同应用中占空比是会发生变化的,作为比较准确的估算方法,应该利用MOS的最小导通时间的百分比进行估算,因为一般地最小导通时间为固定值,相应地 ton+toff也为一个固定值。本文给出2A时的最小导通时间为30ns,取25%则得到30*0.25=7.5ns,而实际计算采用的是9ns。

但实际中该估算不一定很准确,所以在精确估算时需要考究估算的准确性。

为了验证该法的正确性,对比官方手册中的数据精确损耗分析。如下图5,是官方手册上给定的参考输出效率值。
图5 官方手册给出的效率值

Case1:12-5/2A输出,Fs=2MHz,ηmax=94.6%。

使用本文算法进行估算,具体求解过程如下:
开关电源损耗分析 以Buck为例_第12张图片
可知,计算值94.06%与手册上94.6%十分接近。

Case2:12-5/4A输出

开关电源损耗分析 以Buck为例_第13张图片

可知,计算值92.56%与手册上93.3%比较接近。
上述开关延迟时间总和 计算。因为该参数在芯片手册中没有直接给出,手册只给了开关时间上升沿时间约为2ns,则估算值ton=3ns,toff=2*ton=6ns,共计9ns。

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