MOS和三极管不同接法对应的性能比较

共射（共源）：

        低噪放大器和功率放大器采用的标准拓补结构，这种放大器具有最大的功率增益和低的噪声特性。另外，这种放大器还具有良好的输入、输出阻抗，尽管它们与频率有关。电路的稳定性和线性度一般，原因在于输入信号直接注入基极（场效应管不明显），以及密勒反馈效应（所谓的米勒效应(Miller Effect)，就是真空管极与极之间的电容，真空管的极间电容愈大，高频响应就愈差，强放管的体积特大，因此极与级之间的距离也比较大）。

        共射电路的特点可以采用发射极反馈技术来增强，发射极串联附加阻抗可以改善放大器的线性度，并能对放大器的输入阻抗实现可控制的调整。电感性的发射极反馈电路的优点：不但在放大器的输入阻抗中加入了电阻分量，又没有增加放大器的噪声。发射极反馈也可形成具有增益平坦效应的负反馈（利用电阻Ze）,并能改善放大器的稳定性。发射极反馈电路的缺点是：1.降低了放大器的增益；2.由于发射极阻抗存在电阻分量，增加了放大器的噪声；3.降低了放大器的反向隔离度，这可能破坏放大器在高频端的稳定性。

共基（共栅）：

        较低的输入阻抗，极高的输出阻抗，以及大的工作带宽（因为不存在密勒效应）。共基极放大器也具有良好的反向隔离，因此稳定性较好，至少在低频下如此（虽然寄生的反馈效应通常是正反馈，有可能导致不稳定的现象）。共基极放大器的一个重要缺陷是功率增益低，原因在于它的电流增益是1,。另外，基极（或栅极）必须良好接地，因为该端口到地之间很小的串联阻抗（可能还要包括期间内部的阻抗）就会破会放大器的稳定性。

        共射放大器的下一级通常是共基极放大器。共基极放大器为共射放大器提供一个低的负载阻抗，这几乎可消除密勒效应。反向隔离度的明显改善，有助于提高级联放大器的稳定性和增益。这种级联电路在低噪放大器中很常见，级联放大器可以提高更高的增益，同时对放大器噪声性能的负面影响也最小。通常，共基极晶体管放大器的电路尺寸也较小，这也有助于减少放大器输出阻抗的寄生电容分量。

共集（共漏）：（射极跟随器）

        低输出阻抗，高输入阻抗，以及良好的线性度。射极跟随器的缺陷是电压增益是1，即较低的功率增益，以及较差的方向隔离度。共集电极电路通常作为放大器的输出级，该输出级能在良好的线性度前提下驱动一个低值的负载阻抗，共集电极电路较差的反向隔离度消弱了其噪声指标，所以不适合作为低噪声放大器的第一级。虽然寄生的反馈实际上可以改善共集电极电路的带宽（相对于共发射极放大器），但它却具有破坏放大器稳定性的倾向，特别是当放大器的负载为容性时，这种破坏稳定的现象可以用于设计振荡电路。

下表对各种接法性能一一醉了对比：