ASM-HEMT

ASM-HEMT模型中漏极电流公式推导

主要公式用单个数字表示，如（1）。公式中物理量的再详细表达式加点表示，如（1.1），以此类推。Id=WLμeffCg(Vgo−ψm+Vth)ψds（1）I_d=\frac{W}{L}\mu_{eff}C_g(V_{go}-\psi_m+V_{th})\psi_{ds}（1）Id=LWμeffCg(Vgo−ψm+Vth)ψds（1）W和L分别是栅宽和栅长μeff\mu_{eff}μeff是有效载流子
幻象空间的十三楼·2024-02-04 23:08

ASM-HEMT参数提取和模型验证测试

参数提取程序直流I-V参数提取DC模型参数提取流程对于ASM-GaN-HEMT模型可以总结在下图中。以下步骤描述了该流程：在模型中设置物理参数，如L（沟道长度）、W（沟道宽度）、NF（栅指数）、TBAR（势垒层厚度）、LSG（源栅极间距）和LDG（漏栅极间距）。这些参数通常由器件工艺技术人员提供。首先，提取过程专注于获取线性VD条件参数。从线性漏极电流与偏置电压条件，即VD在50至100毫伏范围内
幻象空间的十三楼·2024-02-04 23:06

基于深度学习的ASM-HEMT I-V参数提取

标题：DeepLearning-BasedASM-HEMTI-VParameterExtraction(IEEEELECTRONDEVICELETTERS)22年摘要摘要—首次提出了一种快速而准确的基于深度学习（DL）的ASM-HEMTI-V模型参数提取方法。DL基于提取从蒙特卡洛模拟生成的120k个训练数据集，包含3.74亿个I-V数据点。训练数据集通过蒙特卡洛模拟生成。通过典型的GaN制造过程
幻象空间的十三楼·2024-01-18 12:32

ASM-HEMT射频建模

关于ASM-HEMTRF模型ASM-HEMT是指用于氮化镓高迁移率电子晶体管的先进SPICE模型。该模型于2018年由紧凑模型委员会（CMC）进行了标准化。
幻象空间的十三楼·2023-12-31 15:17
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