STM32 FLASH读写

一：对STM32内部FLASH写进行编程操作，需要遵循以下流程：
　　1.FLASH解锁
　　2.清除相关标志位
　　3.擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便，即物理实现方便)
　　4.写入FLASH
　　5.锁定FLASH
 
（1）获取状态：FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);
返回值是通过枚举类型定义的。
 
 typedef enum
{ 
   FLASH_BUSY = 1,  //忙
   FLASH_ERROR_PG,  //编程错误
   FLASH_ERROR_WRP,  //写保护错误
   FLASH_COMPLETE,   //操作完成
   FLASH_TIMEOUT    //操作超时
 }FLASH_Status;
 
（2）FLASH_Unlock();//解锁函数(在对flash进行写操作前必须解锁)
（3）FLASH_ClearFlag();//清除所有已有标志
（4）擦除函数有3个：
        FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
        FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);
        FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);
 
（5）写函数：
        FLASHStatus  FLASH_ProgramWord(uint32_t Address，uint32_t Data);//32位字写入函数
        FLASHStatus  FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address,uint32_t Data);//16位半字写入
        FLASHStatus  FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address,uint32_t Data);//用户字节写入
 
int write_flash(u32 StartAddr,u16 *buf,u16 len)
{
    volatile FLASH_Status FLASHStatus;
    u32 FlashAddr;
    len=(len+1)/2;
    FLASH_Unlock();//1.解锁函数(在对flash进行写操作前必须解锁)
    FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPERR);//2.清除所有已有标志
    FlashAddr=StartAddr;
    FLASH_ErasePage(StartAddr);//3.擦除一个flash页面
    while(len--)
    {
 
      //FLASH_ProgramHalfWord为写入函数，返回值是flash的状态（5种）
      FLASHStatus = FLASH_ProgramHalfWord(FlashAddr,*buf++);
      if (FLASHStatus != FLASH_COMPLETE)  //FLASH_COMPLETE表示闪存完成
      {
        //printf("FLSH :Error %08X\n\r",FLASHStatus);
        return -1;
      }
      FlashAddr += 2;
    }
    FLASH_Lock();
    return 0;
}
 
二：FLASH 读取方法
 
    *(uint32_t *)0x8000000;//读一个字
　　*(uint8_t *)0x8000000;//读一个字节;
　　*(uint16_t *)0x8000000;//读半字;  
　　举例：
　　uint8_t data;
　　data = *(uint8_t *)0x8000000;//就是读取FLASH中地址0x8000000处的数据
 
 
int read_flash(u32 StartAddr,u32 *buf,u16 len) //一次读一个字4字节
{
    len=(len+3)/4;
    while(len--)
        {
         *buf=*(__IO uint32_t *)StartAddr;
                 StartAddr=StartAddr+4;
                 buf++;
    }
        return 0;
}
 
三：几个有用的子函数
/*
功能：向指定地址写入数据
参数说明：addr： 写入的FLASH页的地址
          p：    被写入变量的地址（数组中的必须是uint8_t类型，元素个数必须是偶数）
          Byte_Num： 被写入变量的字节数（必须是偶数）
*/
　　void FLASH_WriteByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)
　　{
　　        uint32_t HalfWord;
　　        Byte_Num = Byte_Num/2;
　　        FLASH_Unlock();
　　        FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
　　        FLASH_ErasePage(addr);
　　        while(Byte_Num --)
　　        {
　　                HalfWord=*(p++);
　　                HalfWord|=*(p++)<<8;
　　                FLASH_ProgramHalfWord(addr, HalfWord);
　　                addr += 2;
　　        }
　　        FLASH_Lock();
　　}
 
　　例：
　　uint8_t data[100];
　　FLASH_WriteByte(0x8000000 , data , 100);/*数组data的数据被写入FLASH中*/
 
/*
功能：从指定地址读取数据
参数说明：addr 从FLASH中读取的地址
          p    读取后要存入变量的地址（数组中的必须是uint8_t类型）
          Byte_Num 要读出的字节数
*/
　　void FLASH_ReadByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)
　　{
　　  while(Byte_Num--)
　　  {
　　   *(p++)=*((uint8_t*)addr++);
　　  }
　　}
　　例：
　　uint8_t data[101];
　　FLASH_ReadByte(0x8000001 , data , 101);/*FLASH中的数据被读入数组data中*/

详细例程见https://blog.csdn.net/weibo1230123/article/details/80434616