关于一个NMOS+PMOS开关电路失效的分析

MOS为电压控制电流的模式，BJT（三极管）为电流控制电流，因此MOS相比于BJT更常用一些。

最近一个项目用到了PMOS+NMOS作为开机信号，开机要求为高电平开机，最小电压为1.8V，耐压可达17V，为使可靠，选择5V左右（14V4通过100K和56K分压，设计者是这么想的）。但生产时发现此开机按键并不起作用，表现为按下开机按键和不按开机按键都是不开机。

说明：此处开机按键为拨动开关，按下时不开机，说明输出并不是高电平。

按下按键：通过万用表测量，发现前端PNP三极管的E极电压只有1V多一点。C极0.17V,R148前端14.4V正常。

实际电路如下：

画出其大概的等效电路，如上图草图，如不考虑三极管和NMOS导通时的压降，三极管C极电压应该为14.4x(1.5/100||1.5)=0.22V.但实际为0.17V左右。

查阅芯片CJX3439K手册如上（NMOS和PMOS参数对称），开启电压VGS最大为1.1V，最小为0.35V，而此NMOS G极电压为14.4与R105|R27分压的值，为5.2V，因此NMOS完全导通。由于三极管VCE=1.13-0.17，约为1V，此时三极管并未导通，处于放大状态，此时PMOS VGS<-0.17V，比最小开启电压0.35V还小，因此此时P-MOS处于关闭状态，所以R32=1.5K太小是导致此问题出现的原因，将R32换做100K后开机正常，PMOS良好导通，此时P-MOS G极电压为1.93V，实际测量值见上图。

三极管及MOS参数如下图：

此电路的优化：

整理整个电路的思路：要求低电平开机，即：按键按下时接地，整个开关电路输出为高电平，也即常用的反相器的作用。用一个PNP BJT或一个P-MOS即可实现，但此电路多余了一个NPN+PNP，有点冗余，考虑设计时还接入了远程开机方案，必须使用N-MOS+P-MOS（远程开机为高电平起作用），因此应保留P-MOS，修改后的电路如下：