stm8L15x EEPORM学习笔记

 当我们在板级初始化的时候，要初始化eeporm，那么eeprom里存放了什么呢？它和flash有什么区别呢？？

这是我在网上找到的答案：《EEPROM和flash的区别》https://blog.csdn.net/yuanlulu/article/details/6163106

 

之前对各种存储器一直不太清楚，今天总结一下。存储器分为两大类：ram和rom。ram就不讲了，今天主要讨论rom。

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

 

RAM有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

 

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

 

DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。

 

FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势)，U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。

 

rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了prom，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。历史的车轮不断前进，伟大的EEPROM出现了，拯救了一大批程序员，终于可以随意的修改rom中的内容了。

 

EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的rom来讲的。但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。

 

狭义的EEPROM：

这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。

 

flash:

flash属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它flash。

flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。上M的rom一般都是flash。

 

flash分为nor flash和nand flash。nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。

nand flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（nandflash按块来擦除，按页来读，norflash没有页）

由于nandflash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。

使用寿命上，nand flash的擦除次数是nor的数倍。而且nand flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。nor flash 一旦损坏便无法再用。

 

因为nor flash可以进行字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。

 

 

void FLASH_Unlock(FLASH_MemType_TypeDef FLASH_MemType)
{
  /* Check parameter */
  assert_param(IS_FLASH_MEMORY_TYPE(FLASH_MemType));
  
  /* Unlock program memory */
  if(FLASH_MemType == FLASH_MemType_Program)
  {
    FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY1;
    FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY2;
  }
  

位7：4	保留，必须为0
位3	EEPM:Flash程序和数据EEPROM IDDQ模式选择在运行期间，低功耗运行、低功率等模式 0:EEPM在一个Flash程序或数据EEPROM存储器之后被硬件清除访问。通过软件清除这一点不会从IDDQ模式中退出内存。 1：当代码从RAM中执行时，EEPM位force程序的设置数据EEPROM进入IDDQ模式。 当代码从程序Flash中执行时，这个位不能被设置。Flash程序和数据EEPROM保持在IDDQ模式下直到下一个Flash程序或数据EEPROM作为访问。参考第81页的低功率运行模式。
位2	WAITM等待模式：Flash程序和数据EEPROM IDDQ模式在等待模式下这部分是由软件设置和清除的。 0：当设备处于等待模式时，Flash程序和数据EEPROM不在IDDQ模式下 1：当设备处于等待模式时，在IDDQ模式下的Flash程序和数据EEPROM。
位1	IE:Flash中断启用这部分是由软件设置和清除的 0:中断禁用 1:启用中断。如果EOP或wrpgdis标志在
位0	FIX：固定字节编程时间这部分是由软件设置和清除的。 0：如果内存已经被擦除和tprog，标准的编程时间（1/2 tprog） 1：在tprog中固定的编程时间。

位7	OPT：写选项字节，这部分是由软件设置和清除的。 0：对禁用选项的写入权限 1：启用启用选项字节的访问
位6	第6位WPRG：文字编程这个位是由软件设置的，当操作完成时由硬件清除。 0：程序操作禁用 1：启用Word程序操作
位5	ERASE：块擦除这个位是由软件设置的，当操作完成时由硬件清除。 0：块清除操作禁用 1：启用块擦除操作
位4	FPRG：快速块编程这个位是由软件设置的，当操作完成时由硬件清除。 0：快速块程序操作禁用 1：启用快速块程序操作
位3：1	保留
位0	PRG，标准块编程，这个位是由软件设置的，当操作完成时由硬件清除。

 

位7:0 DUK 7:0：数据EEPROM写解锁键   这个字节是由软件（所有模式）编写的。它在读取时返回0x00。

 

 

位7	保留
位6	HVOFF：高电压标志的结束，这部分是由硬件设置和清除的。 0:HV，开始实际的编程 1:HV OFF，高电压结束
位5:4	保留
位3	DUL：数据EEPROM区域无锁标志，这个比特是由硬件设置的，通过编程将其编程为0。 0：数据EEPROM区域写入保护 1：数据EEPROM区域写保护已被写入正确的质量键
位2	EOP：编程结束（写或擦操作）标志这部分是由硬件设置的。它通过读取寄存器或新版本的软件来清除。 写/擦除操作开始。 0：没有发生EOP事件 1：发生了EOP操作。如果IE位被设置为in，则会产生中断 FLASH_CR1登记。
位1	PUL:Flash程序内存解锁标志这个比特是由硬件设置的，通过编程将其编程为0。 0：启用主程序区域的保护 1：编写正确的质量，使主程序区域的保护失效。 钥匙。
位0	wrpgdis：尝试保护页面标记，这个比特是由硬件设置的，通过读取寄存器来清除软件。 0：没有wrpgdis事件发生 1：发生写保护页面的尝试。如果IE比特出现了中断 设置在flashcr1寄存器中。

Flash register map and reset values

Flash寄存器映射和重置值

 

 

  

FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_TypeDef FLASH_FLAG)
{
  FlagStatus status = RESET;
  assert_param(IS_FLASH_FLAGS(FLASH_FLAG));
  
  /* Check the status of the specified flash flag*/
  if((FLASH->IAPSR  & (uint8_t)FLASH_FLAG) != (uint8_t)RESET)
  {
    status = SET; /* Flash_FLAG is set*/
  }
  else
  {
    status = RESET; /* Flash_FLAG is reset*/
  }
  
  /* Return the Flash_FLAG status*/
  return status;
}