NOR flash 坏块处理方法


一直认为"Nor flash没有坏块,而Nand flash出厂时可能就有坏块",推想NOR flash一旦存在坏块就报废了,挺可惜的,今天查找资料才了解到NOR flash 是存在坏块的,只不过是在内对坏块进行了处理。

在NOR flash中,存储单元是互相并联的,每个存储单元的字线、源线分别相连。而在NAND flash中,存储单元是互相串联的,每个存储单元的字线、源线首尾相接。

可靠性比较。闪存的可靠性通常可以分为使用寿命、坏块处理两个方面。闪存的使用寿命,指的是闪存中每个单元块进行重复编程和檫除的最大次数。当超出规定的最大次数,闪存就可能工作异常。通常NOR flash的最大檫写次数是十万次,而NAND flash是一百万次。闪存内的坏块处理,是指生产出的闪存并不是完美的,总会有某些比特或者某些区域不可使用,这时候就要对闪存进行坏块处理。针对个别比特的失效,一般通过冗余比特替换或者错误检查和纠正的方法来进行纠正。冗余比特替换,是指在芯片设计时,每组存储单元会有若干个冗余比特,当该组存储单元存在失效的比特,就可以用冗余比特加以替换。冗余比特替换的方法常用于NOR flash中。错误检查和纠正(ECC),是指芯片中每组存储单元会有若干个比特用做数据的校验,当该组存储单元存在失效的比特则通过相应的数据校验算法,还原中真实的数据。错误检查和纠正的方法常用于NAND flash中。当失效的比特很多且连续时,失效的比特所在的区域会被认识是集体失效。在NOR flash中,失效的区域通常也会被冗余的存储单元块替换掉,而在NAND flash中,失效的区域会被标记为不可用。这是因为在应用中,NOR flash通常被认为是完美的,不允许出失效,而对于NAND flash来说,一点比例的失效是不可以接受的。

应用中比较。在应用中,NOR flash由于功能丰富,不需要其他的软件支持,就可以被系统直接寻址,并在内部直接运行操作代码。而NAND flash的功能相对简单,通常需要搭配相应的控制芯片和驱动程序,才能对其进行操作。

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