模电(三)晶体三极管

文章目录

  • 晶体三极管
    • 外形
    • 结构与符号
  • 晶体管的放大原理
    • 【放大条件】
    • 【基本共射放大电路】
    • 【晶体管内部载流子运动】
    • 【电流分配】
    • 【共射输入特性曲线】
    • 【共射输出特性曲线】
    • 【共射特性曲线总结思考】
    • 【晶体管工作区域】
    • 【晶体管的主要参数】
    • 【温度对晶体管特性参数影响】

晶体三极管

外形

模电(三)晶体三极管_第1张图片
(a.),(b.):小功率管
(c.):中功率管-外型易于安装散热器
(d.):大功率管-外型易于安装散热器

结构与符号

【结构‘NPN’型】
三个极,三个区,两个PN结
发射区:多子浓度高(杂质浓度很高)
基区:多子浓度很低(杂质浓度很低);薄
集电结:面积很大
模电(三)晶体三极管_第2张图片
模电(三)晶体三极管_第3张图片
【符号】
!注意区分NPN型与PNP型
模电(三)晶体三极管_第4张图片

晶体管的放大原理

【以NPN型晶体管介绍】

【放大条件】

发射结正向偏置,集电结反向偏置

【基本共射放大电路】

模电(三)晶体三极管_第5张图片
分析:输入电压信号,接入基极-发射极回路,称为输入回路;放大后的信号在集电极-发射极回路,成为输出回路
因发射极为两回路公共端,又称共射放大回路
晶体管的放大作用表现在:小的基极电流可以控制大的集电极电流

【晶体管内部载流子运动】

模电(三)晶体三极管_第6张图片
【分析】
1.发射结外加正向电压,扩散运动 形成发射极电流
2.扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动 形成基极电流
(因电源VBB的作用,复合运动持续进行)
3.集电结外加反向电压,漂移运动 形成集电极电流
(因集电源VCC作用下,漂移运动形成)
4.发射极电流=基极电流+集电区电流

【电流分配】

模电(三)晶体三极管_第7张图片
模电(三)晶体三极管_第8张图片

【共射输入特性曲线】

概念
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图象
模电(三)晶体三极管_第10张图片
图象分析
1.为什么像PN结的伏安特性曲线?
2.为什么UCE增大曲线右移?
3.为什么UCE增大到一定值时右移不明显?

牢记下图几个电流方程,代入场景分析
模电(三)晶体三极管_第11张图片
模电(三)晶体三极管_第12张图片
模电(三)晶体三极管_第13张图片

【共射输出特性曲线】

概念
模电(三)晶体三极管_第14张图片
图象
模电(三)晶体三极管_第15张图片
图象分析
模电(三)晶体三极管_第16张图片

【共射特性曲线总结思考】

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UCE管压降增大会导致集电结反向电压增大,使集电区电流增大,积聚基区非平衡少子的本领变强,最终最大化,导致基区电流基本不变,集电区电流也趋于不变
UBE发射结压降,保持不变时发射极电流不变

【晶体管工作区域】

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【晶体管的主要参数】

模电(三)晶体三极管_第19张图片

【温度对晶体管特性参数影响】

模电(三)晶体三极管_第20张图片

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