三极管H参数的等效模型（数学推导过程、rbe电阻公式的推导、h参数等效模型的简化极其如何简化的原理）

H参数等效模型

在上一结放大电路的分析方法当中，利用的是作图以及实际等效出了rbe这个电阻，这一结中完全利用公式来做出晶体管等效模型，叫做H参数等效模型。
由三极管的输入特性曲线可以得到：
UBE=F(iB，UCE)
由输出特性曲线可以得到
iC=F(iB,UCE)

得到这两个公式之后看下图就可以清楚H参数等效模型的推导过程了

此时再看这个图中的h参数等效模型就很清晰明了了，输入端的压控电流源的参数h12，是UCE引起的关于ib的变化，这个变化在UCE大于1v之后值很小所以可以忽略，输出端的h22是在放大区时UCE引起的ic的变化，从图中可以看出来十分的平缓，所以h22这个值很大一般在几百k，只要后端输出电阻不是大到可以媲美这个电阻，输出端的这个1/h22就可以忽略为断路，就得到了上一结的简化三极管的等效模型。

在看看上一结中，rbe电阻在这一结公式推导过程中是怎么的出来的，首先看下图。

rbb’是基区的等效电阻，rb‘e’,是二极管在交流信号中的等效电阻，re’是发射区的等效电阻，首先发射区的掺杂浓度很高，所以re’很小可以忽略，由此再看下图的推导过程。

注意公式的物理意义。