WNM2020 N通道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM
说明
WNM2020 N沟道，20V，0.90A，小信号MOSFET
WNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）
低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2020是无铅的无卤
特征
FAE:13723714318
海沟技术
超高密度电池设计
优异的导通电阻
极低的阈值电压
小包装SOT-23
应用
DC-DC转换器电路
小信号开关
负载开关
等级转换
电子特性
（Ta = 25oC，除非另有说明）
参数符号测试条件最小值典型值最大值
关闭特征
漏极 - 源极击穿电压BVDSS VGS = 0 V，ID = 250uA 20 V.
零栅极电压漏极电流IDSS VDS = 16 V，VGS
栅极 - 源极漏电流IGSS VDS = 0 V，VGS =±5V±5 uA
关于特征
栅极阈值电压VGS（TH）VGS = VDS，ID = 250uA 0.45 0.58 0.85 V.
VGS = 4.5V，ID = 0.55A
漏极 - 源极导通电阻RDS（on）VGS = 2.5V，ID = 0.45A
VGS = 1.8V，ID = 0.35A
米听
正向跨导gFS VDS = 5 V，ID = 0.55A 2.0 S.
收费，电容和门阻力
输入电容CISS 50
输出电容COSS 13
反向传输电容CRSS
VGS = 0 V，f = 100 kHz，VDS =
10 V
8pF的
总栅极电荷QG（TOT）1.15
阈值栅极电荷QG（TH）0.06
栅极 - 源极电荷QGS 0.15
栅极 - 漏极电荷QGD
VGS = 4.5 V，VDS = 10 V，
ID = 0.55A
0.23
NC
切换特性
开启延迟时间td（ON）22
上升时间tr 80
关闭延迟时间td（OFF）700
下降时间tf 380
NS
身体二极管特征
正向电压VSD VGS = 0 V，IS = 0.35A 0.5
VDD = 10V，VGS = 4.5V，
ID = 0.55A，RG =6鈩鈩= 0V 1 uA
220 310
260 360
320 460
0.7 1.5 V