WPM2341-3/TR P通道增强模式Mosfet WILLSEM

WPM2341
P通道增强模式Mosfet
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特征

更高的效率延长电池寿命
微型SOT23-3表面贴装封装
超高密度电池设计,可实现极低的RDS(ON)
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应用

FAE:13723714318
负载开关
DC / DC转换器
电池供电系统
液晶显示变频器
便携式电池供电产品的电源管理
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功耗特性

  1. WPM2341的封装是SOT23-3,表面安装在FR4板上,使用1平方英尺的焊盘尺寸
    2盎司CuRşJA是125ć/ W.
    2.功耗PD基于TJ(MAX)= 150°C,TJ与PD之间的关系为TJ = Ta +
    RşJA* PD,最大功耗由RşJA决定。
    3.RşJA是从结到环境的热阻抗,使用更大的PCB焊盘尺寸可以得到
    更小的RşJA并导致更大的最大功耗。
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    功耗特性
  2. WPM2341的封装是SOT23-3,表面安装在FR4板上,使用1平方英尺的焊盘尺寸
    2盎司CuRşJA是125ć/ W.
    2.功耗PD基于TJ(MAX)= 150°C,TJ与PD之间的关系为TJ = Ta +
    RşJA* PD,最大功耗由RşJA决定。
    3.RşJA是从结到环境的热阻抗,使用更大的PCB焊盘尺寸可以得到
    更小的RşJA并导致更大的最大功耗
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