WILLSEM

WS4665D-8/TR单通道负载开关WILLSEM封装DFN2x2-8L

WS46656A，14mΩ负载开关，带快速输出放电和可调节的上升时间描述WILLSEMFAE:13723714318WS4665是一款单通道负载开关提供可配置的上升时间以最小化浪涌当前。该器件包含一个N沟道MOSFET可以在0.8V至0.8V的输入电压范围内工作5.5V并且可以支持最大连续电流6A。开关由开/关输入（ON）控制，它能够直接与低压接口控制信号。在WS4665中，230Ω片上负载添加电
szriley123·2024-01-31 00:11

WNM2020 N通道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM

说明WNM2020N沟道，20V，0.90A，小信号MOSFETWNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅的无卤特征FAE:13723714318海沟技术超高密度电池设计优异的导通电阻极低的阈值电压小包装SOT-23应用DC-DC转换器电路小信号开关负
szriley123·2020-08-20 08:12

WPM2341-3/TR P通道增强模式Mosfet WILLSEM

WPM2341P通道增强模式Mosfet特征更高的效率延长电池寿命微型SOT23-3表面贴装封装超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）应用FAE:13723714318负载开关DC/DC转换器电池供电系统液晶显示变频器便携式电池供电产品的电源管理功耗特性WPM2341的封装是SOT23-3，表面安装在FR4板上，使用1平方英尺的焊盘尺寸2盎司CuRşJA是125ć/W.2.功耗PD基于TJ（
szriley123·2020-07-28 12:24

WSB5543W-2/TR中功率肖特基势垒二极管WILLSEM

WSB5543W-2/TR中功率肖特基势垒二极管WSB5543W中功率肖特基势垒二极管特征1.0AAverage整流正向电流沟槽MOS肖特基技术低正向电压，低漏电流小包装SOD-323F应用FAE:13723714318开关电路中电整流绝对最大额定值参数符号值单位反向电压（重复峰值）VRM40V.反向电压（DC）VR40V.平均整流正向电流（1）IO1.0A.正向峰值浪涌电流（2）IFSM7A.结
szriley123·2020-07-28 12:24

WSB5523D中功率肖特基势垒二极管WILLSEM

WSB5523D中功率肖特基势垒二极管特征整流正向电流低正向电压漏电流低FBP包应用FAE:13723714318开关电路中电整流绝对最大额定值参数符号值单位反向电压（重复峰值）VRM40V.反向电压（DC）VR40V.平均正向电流（1）IF（AV）1.0A.重复峰值正向电流@tp≤1ms，duty≤25％IFRM4A.正向峰值浪涌电流@t=8.3ms（单一的）IFSM7A.结温TJ150OC工作
szriley123·2020-07-28 12:24
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