FinFET Modeling for IC Design

        该章节主要介绍了14nmFinFET相关的器件特性,给出了器件随着尺寸缩小电学参数变化的趋势。随着先进工艺而带来的一些新的效应:量子隧穿效应、短沟效应、DIBL效应、热载流子效应、速率饱和效应等。这些新增的效应对于器件的特性行为有着极大的影响。随着器件尺寸的缩小,Layout Depend Effect愈发重要…
        FinFET:凸起的SourceDrain像鲨鱼的鳍(Fin)一样,被gate三面包围,相比于2-D结构的体硅器件,极大的增加了接触面,从而增强了Gate电压对栅氧电荷的控制能力,提高电流能力的同时,也抑制了短沟效应。
        FinFET相比体硅(Bulk)有众多优点:由于FinFET轻掺杂体或不掺杂,相比之下拥有更少的随机掺杂波动,从源头上削弱了mismatch;FinFET拥有较强的电流能力,较大的跨导,较高的增益,较快的速度…
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