SiC肖特基的电流密度提高了50%,浪涌额定值也提高了50%

东芝电子欧洲公司(Toshiba Electronics Europe)推出了基于该公司第二代碳化硅(SiC)半导体技术的新型肖特基势垒二极管(SBD)。这些SBD提供的电流密度比第一代设备高出50%,可以处理更高的正向浪涌电流。
SiC肖特基的电流密度提高了50%,浪涌额定值也提高了50%_第1张图片
在高速功率开关设计中,使用SiC半导体有助于设计者提高效率、减少散热和节省空间。甚至在高电压和高电流条件下,SiC功率器件也能在比硅替代品更宽的温度范围内稳定工作。
通过第二代SiC工艺,东芝已经能够减少模具厚度,开发出电流密度比第一代器件高1.5倍(1.5倍)的SBD。此外,第二代SiC SBD将提供更高的非重复正向浪涌电流(IFSM)额定值。
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第二代线路中的第一个产品将是650V设备,电流额定值为4A(Trs4E65F)、6A(Trs6E65F)、8A(Trs8E65F)和10A(Trs10E65F),安装在TO-220 2针和TO-220隔离2针封装中,名为Trs…A65F。这些二极管将是高速开关电源转换设计的理想选择,包括功率因数校正(PFC)SC。HEMES、光伏逆变器和不间断电源(UPS)。东芝的SicSBD也可以通过更换传统硅二极管来提高开关电源的效率。

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