SiC肖特基的电流密度提高了50%，浪涌额定值也提高了50%

东芝电子欧洲公司（Toshiba Electronics Europe）推出了基于该公司第二代碳化硅（SiC）半导体技术的新型肖特基势垒二极管（SBD）。这些SBD提供的电流密度比第一代设备高出50%，可以处理更高的正向浪涌电流。

在高速功率开关设计中，使用SiC半导体有助于设计者提高效率、减少散热和节省空间。甚至在高电压和高电流条件下，SiC功率器件也能在比硅替代品更宽的温度范围内稳定工作。
通过第二代SiC工艺，东芝已经能够减少模具厚度，开发出电流密度比第一代器件高1.5倍（1.5倍）的SBD。此外，第二代SiC SBD将提供更高的非重复正向浪涌电流（IFSM）额定值。

第二代线路中的第一个产品将是650V设备，电流额定值为4A（Trs4E65F）、6A（Trs6E65F）、8A（Trs8E65F）和10A（Trs10E65F），安装在TO-220 2针和TO-220隔离2针封装中，名为Trs…A65F。这些二极管将是高速开关电源转换设计的理想选择，包括功率因数校正（PFC）SC。HEMES、光伏逆变器和不间断电源（UPS）。东芝的SicSBD也可以通过更换传统硅二极管来提高开关电源的效率。