【FPGA】FPGA实现SPI协议读写FLASH(一)----- M25P16操作概述

文章目录

  • 一、FLASH介绍(M25P16)
    • 1、M25P16概述
    • 2、SPI模式
    • 3、存储结构
    • 4、指令集
    • 5、时间参数
  • 二、M25P16工作原理
  • 三、M25P16指令操作
    • 1、页编程 (PP)
    • 2、扇区擦除和整块擦除 (SE and BE)
    • 3、写使能 (WREN)
    • 4、读ID(RDID)
    • 5、读状态寄存器(RDSR)
    • 6、读数据(READ)

写在前面:
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SPI通信协议

本项目中所使用的开发板型号:Cyclone IV E (EP4CE6F17C8),FLASH型号:M25P16

一、FLASH介绍(M25P16)

1、M25P16概述

M25P16是一款带有先进写保护机制和高速SPI总线访问的串行Flash存储器。M25P16特点如下:

  • 存储结构:16M Bit(2M Byte)的存储空间,一共32个扇区(sector),每个扇区256页,每页256字节。
  • SPI总线兼容的串行接口。
  • 可以单扇区擦除,也可以整块擦除。
  • 可以同时编程1~256字节,页编程速率高达256Byte/1.4ms,即写入一页数据需要1.4ms。
  • 数据保存至少20年。
  • 支持SPI工作模式0和3。

M25P16引脚图如下:

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【FPGA】FPGA实现SPI协议读写FLASH(一)----- M25P16操作概述_第2张图片
C: 时钟信号,相当于SPI总线的SCLK。
D: 数据输入,相当于SPI总线的主机输出、从机输入MOSI。
Q: 数据输出,相当于SPI总线的主机输入、从机输出MISO。
S#: 片选信号,相当于SPI总线的片选信号CS_N。
HOLD: 在选中期间期间输出高阻态,实际上比较像SDRAM的“掩码”。
W#: 写保护,低电平有效,在写保护有效时无法写入数据。
VCC: 电源。
VSS : 电源地。

2、SPI模式

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3、存储结构

M25P16一共2M Byte字节的存储空间,分32个扇区(SECTOR),每个扇区256页(PAGE),每页256字节(BYTE)。每个字节的的存储地址由扇区地址(8bit)+页地址(8bit)+字节地址(8bit)构成。
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4、指令集

在本项目中只用到WREN指令、SE指令、RDSR指令、PP指令、RDID指令、READ指令即可。

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5、时间参数

M25P16支持频率如下:
在这里插入图片描述
页写, 全擦除,扇区擦除等指令在发出后,仍需要一定的时间才能真正执行完,各个指令所需的时间如下:
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两个指令之间需要间隔一定的时间(比如发送全擦除指令前需要发送写使能指令,在这两个指令之间就需要间隔一定的时间),具体时间如下:
在这里插入图片描述

二、M25P16工作原理

M25P16写入一个字节数据需写使能(WREN)和写入(PP)指令,采用这两个指令实现单页编程。对于某个单字节空间的操作,在使用PP指令之前需要对其擦除(FFh)。擦除操作可通过单块擦除指令(SE)和整块擦除(BE)来完成。擦除之前需要先执行WREN指令。

当片选信号被拉为低电平,在时钟信号的第一个下降沿开始采样数据输入信号。每个指令序列都是以单字节指令代码开头,紧接着就是地址或数据。在读取数据、快速读取数据、读状态寄存器、读标识和读电子签名时,数据输出序列紧随输入指令序列。当数据输出序列的所有数据位都输出后,片选信号置为高电平。而在页数据写入、单块擦除、整块擦除、写状态寄存器、写使能和写无效时,片选信号必须在一个字节内置为高电平。否则,指令不执行。也就是说,拉低片选信号后,时钟信号必须是8的整数倍。在写状态寄存器间期、数据写入周期或者擦除周期,则忽略任何对存储空间的访问,并不会对这些周期产生影响。

三、M25P16指令操作

1、页编程 (PP)

要发送一个数据字节,需要两个指令:写使能指令(WREN)和页编程指令(PP),然后是内部页编程周期(持续时间为tPP)。Page Program (PP)指令允许一次编程最多256字节(将位从1改为0),前提是它们位于同一内存页上的连续地址中。

2、扇区擦除和整块擦除 (SE and BE)

页程序(PP)指令允许位从1重置为0。在此之前,需要将内存字节全部擦除为FFh。这既可以使用扇区擦除指令(SE)实现擦除一个扇区,也可以使用整块擦除指令(BE)实现整块擦除。发送完擦除指令后就进入擦除周期(持续时间tSE或tBE)。发送擦除指令之前必须先发送写使能指令。

3、写使能 (WREN)

写使能(WREN) 指令用于设置内部写使能锁存器位。在页编程(PP)、扇区擦除(SE)、整块擦除(BE)和写状态寄存器(WRSR)之前,必须先执行写使能。当片选信号拉低后,就开始执行写使能指令,接着传输指令。指令发送完后,片选信号置为高电平。

写使能时序图如下:

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4、读ID(RDID)

Read Identification (RDID)指令允许读取8位的制造商标识,然后读取两个字节的设备标识。设备标识由设备制造商指定,第一个字节表示内存类型(20h),第二个字节表示内存类型(20h),第三个字节表示设备的内存容量(15h)。
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读ID时序图如下:

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5、读状态寄存器(RDSR)

读取状态寄存器(RDSR)指令允许读取状态寄存器。状态寄存器可以在任何时候被读取,即使是在页编程、擦除或写状态寄存器周期正在进行。当其中一个循环正在进行时,建议检查WIP位,然后再向设备发送新指令。
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WIP: WIP (Write In Progress)位表示内存是否处于写状态寄存器、页编程或擦除周期。当设置为1时,表示设备处于工作状态,当设置为0时,表示设备处于空闲状态。
WEL: WEL (Write Enable Latch)位表示内部Write Enable Latch的状态。当设置为1时,内部写使能被设置,当设置为0时,表示没有接收写状态寄存器,页编程或擦除指令。
BP2、BP1、BP0: 块保护(BP2,BP1, BP0)位是非易失性的。它们定义了被软件保护的区域的大小
编程和擦除指令。这些位是用写状态寄存器(WRSR)指令写的。

读状态寄存器时序图如下:

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6、读数据(READ)

首先通过驱动片选信号来选择设备,片选信号低有效。读取数据的指令字节(READ)指令后面跟着一个3字节的地址(A23-A0),每个位在串行时钟(SCLK)的上升沿期间被锁存。然后,在串行数据输出(Q)上输出数据。

读数据时序图如下:

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