03_nand 闪存特性
读写原理
写
写的单元wordline为高电压，bitline = 0V;由于量子隧道效应，电子从沟道到浮栅，成为‘0’，不写的单元bitline为2V，在沟道里的效应阻碍了量子隧道效应发生。
读
不读的wordline = 5V，管子导通；要读的单元wordline = 0V，-Vt的管子导通，bitline端的传感器能检测到，所以读到“1”，而经过写的+VtS管子不导通，传感器读为“0”。
坏块（badblock）
① 出厂坏块
Nand flash出厂时就有的坏块，在保证产量和控制成本，出厂的NAND Flash某些会带有坏块的。但是会保证SLC低于2%，MLC低于5%。
② 使用坏块
在我们平常使用过程中经常擦除读写导致的。在多次擦写的循环中，某些NAND单元的电荷会永久性地改变，就意味着这个NAND单元不可使用，也就变成了坏块。
ECC
一种错误检测与纠正算法（BCH）。由于nand的工艺不能保证其生命周期中保持性能的可靠，当单元中的存储的数据比特发生翻转，读取的时候可以通过ECC来纠正，不同的ECC算法能纠正的位数也不一样。
读/写干扰
读干扰
读取一个page时，同一块中未被选中的页的控制栅都要加一个正电压，保证未被选中的MOS管是导通的，导致其他页有电子被吸入，形成轻微的写。影响的是同块中的其他页，而非读取的页本身。
写干扰
在其wordline上施加正电压（例20V）,其bitline接地，在不需要写的bitline施加一个正电压（比wordline的小，例10V）；这样操作的结果是，同一bitline上未被选中的cell也会受到影响—轻微写，导致比特翻转。影响不仅是同一块中的其它页，自身页也受到影响。
共同点：导致的干扰都是轻微的比特翻转，非永久性损伤，擦除后可再次使用。
其他问题
存储单元间影响：存储单元的浮栅是导体，因此单元之间会形成耦合电容，使内部电荷发生变化。
电荷泄露：长期不使用导致的非永久性损伤。