模电：二极管和三极管理解

1势垒电容Cb

外加反向电压U改变，空间电荷区的电荷量Q变化，把这种关系等效为电容，Cb是非线性的，与反向电压成反比，由Cb特性做变容二极管。

2扩散电容Cd

外加正向电压U，吸引N区多子电子到P区，因为实际P区空穴多，电子少，所以过来的电子叫非平衡少子，P区的非平衡少子电子的浓度从耗尽层开始向外逐渐变低直到0，这个浓度差形成扩散电流。因为这种电荷量同样是受电压控制，所以等效为扩散电容Cd。结电容Cj=Cb+Cd。

二极管工作主要参数：1最大整流电容IF。2最高反向工作电压UR。3反向电流IR。4最高工作频率fM

3二极管微变等效电阻rd=UT/ID(热电压UT在T=300k为常量26mv，除以静态工作电流)

4稳压二极管

主要参数：稳定电压，稳定电流，额定功耗，动态电阻Rz，温度系数α。

其他应用：发光二极管，光电二极管，用作热敏元件或者光敏元件

三极管（因为有2中载流子空穴和电子参与导电，又叫双极性晶体管BJT，是电流控制电流型器件）

NPN晶体管的结构和剖面图。

1.有2个PN结。2.掺杂浓度不同，面积不同，E极最高，B极最低，C极其次。EB结面接触小，BC接触大。

1.共射放大电路（不是真的变大，而是控制能量的转换，通过Ib控制Vcc的能量变成Ic输出）

特性曲线

有3个工作区。饱和：Ube>Uce>0。放大：Ube>0,Uce>Ube。截止：Ube<0。

场效应管FET（单极性电子载流子导电，是输入电压效应控制输出电流型。分为结型JFET，CMOS型，优点是:体积小更稳定更省电）

1. JFET结型（g为栅极，s为源极。d为漏极）

Ugs变小，耗尽层变宽，直至预夹断的电压Ugsoff

当因为Ugs大于Ugsoff时，通道存在，随着Uds增加让Ugd=Ugs-Uds变小。所以靠近漏极的沟道更窄，因此随着Uds增加，gd之间也会提前出现预夹断，在gd夹断前，沟道电阻取决于Ugs。

因此电流ID随Uds呈线性关系。当出现预夹断，ID就不随Uds变换，只随Ugs变化。

用低频跨到gms来描述ID受Ugs控制的关系。

特性曲线：（无输入特性曲线，因为没有输入电流，只有输入电压）

2MOS场效应管（gs间电阻比JFET大，因此温度稳定性更好，栅极为金属铝）

结构不同于JFET，因此当Ugs=0，Uds变化也没有电流。Ugs＞0，会吸引电子，形成叫反型层的通道。

特性曲线

主要参数：开启电压Ugson，夹断电压Ugsoff，饱和漏极电流IDSS