场效应管的选择方法

　　作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？本文将讨论如何通过四步来选择正确的场效应管。

　　沟道的选择

　　为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道场效应管。在典型的功率应用中，当一个场效应管接地，而负载连接到干线电压上时，该场效应管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道场效应管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当场效应管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道场效应管，这也是出于对电压驱动的考虑。

　　电压和电流的选择

　　额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使场效应管不会失效。就选择场效应管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。

　　在连续导通模式下，场效应管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。

　　计算导通损耗

　　由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易（较为普遍），而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。

　　需要提醒设计人员，一般来说MOS管规格书标注的Id电流是MOS管芯片的最大常态电流，实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。

　　计算系统的散热要求

　　设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在场效应管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。

　　场效应管件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的，虽然多数已经内置了保护二极管，但稍不注意，也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。

　　场效应管2N7002LT1G的参数

　　技术: Si

　　安装风格: SMD/SMT

　　封装 / 箱体: SOT-23-3

　　通道数量: 1 Channel

　　晶体管极性: N-Channel

　　Vds-漏源极击穿电压: 60 V

　　Id-连续漏极电流: 115 mA

　　Rds On-漏源导通电阻: 7.5 Ohms

　　Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

　　Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

　　最小工作温度: - 55 C

　　最大工作温度: + 150 C

　　Pd-功率耗散: 300 mW

　　配置: Single

　　通道模式: Enhancement

　　封装: Cut Tape

　　封装: MouseReel

　　封装: Reel

　　高度: 0.94 mm

　　长度: 2.9 mm

　　产品: MOSFET Small Signal

　　系列: 2N7002L

　　晶体管类型: 1 N-Channel

　　类型: MOSFET

　　宽度: 1.3 mm

　　商标: ON Semiconductor

　　正向跨导 - 最小值: 80 mS

　　产品类型: MOSFET

　　工厂包装数量: 3000

　　子类别: MOSFETs

　　典型关闭延迟时间: 40 ns

　　典型接通延迟时间: 20 ns

　　单位重量: 31 mg