LNA低噪声放大器,顾名思义,它具有输入噪声低的特点。LNA一般用于射频接收机的前端,接收特定频率的小信号,通过放大后进入下一级混频。因此除了放大功能外,LNA有以下几点不同:
设计过程中碰到的难点主要有两个:一、如何确定电路的结构?二、如何调参数满足设计要求。
LNA的工作频率为1.7~1.8GHz,工作电压2.7V,且满足:
S11(dB) | S12(dB) | S21(dB) | S22(dB) | NF(dB) | IIP3(dBm) | current |
---|---|---|---|---|---|---|
<-10 | <-20 | >20 | <-10 | <2 | >-10 | <10mA |
current表示静态电流要小于10mA,S21就是我们常说的放大增益20dB=10倍。S12表示输出信号对输入信号的干扰,它要越小越好,称为反向隔离度。S11和S22分别为输入输出的反馈系数,也尽量越小越好。噪声系数是所有的输出噪声折合到等效输入噪声和源噪声的比值:
N F = d V o u t 2 ‾ A 2 1 4 k T R s < 2 d B = 1.585 NF=\frac{\overline{dV_{out}^2}}{A^2 }\frac{1}{4kTR_s}<2dB=1.585 NF=A2dVout24kTRs1<2dB=1.585
最后是IIP3,表示3阶效应导致的输出功率和线性放大的输出功率相等时的输入功率,它要大于 − 10 d B m = 1 m W × 1 0 − 10 / 10 = 0.1 m W -10dBm=1mW \times 10^{-10/10}=0.1mW −10dBm=1mW×10−10/10=0.1mW。IIP3越大,表示线性度越好。
查找了很多相关资料,包括Razavi的《RF Microelectronics》 第二版, 迟保勇的《CMOS射频集成电路分析与设计》,要么结构太抽象,要么太复杂。终于在bing上搜到一篇简单入门的计算样例,手把手计算电路参数:Tutorial2_LNAS_TSEK03_Typed
它采用带源极负反馈的cascode结构,该结构不用引入额外的电阻做输入匹配,而是用巧妙利用了电感 L s , L g L_s,L_g Ls,Lg和栅电容 C g s C_{gs} Cgs等无噪声器件,大大减小了噪声系数:
仿真采用的NMOS管是老师经过加工后的管子,只能调节管子figure数fin和并联数mul,本质就是调节管子宽度W。调节时的中心频率是1.75GHz。
需要调节的参数挺多: L s , L g , L d , C L , R o , f i n , m u l L_s,L_g,L_d,C_L,R_o,fin,mul Ls,Lg,Ld,CL,Ro,fin,mul,该如何拨云见日,逐步确定这些参数呢?如果不满足设计要求,又该如何微调?它们之间是如何影响的?
这个问题困扰了我很久,终于在某次等车的得到灵感:其实真正的确定指标的参数只有两个:NMOS的宽度W和流过的电流。这两个参数如果确定,可以通过输入输出匹配确定 L s , L g , L d , C L L_s,L_g,L_d,C_L Ls,Lg,Ld,CL。如果性能仍有差距,那么可以微调 R o R_o Ro或mul(电流),再重新匹配输入输出阻抗。
Gmax仿真是与匹配无关的增益,可以扫描栅极偏置电压,确定其值多大的时候能达到平缓的增益平台和小于10mA的电流。
上图是fin=6,mul=12时,扫描M1栅极电压得到的 G m a x G_{max} Gmax和静态电流曲线。可以看出,当偏置电压为1.2V时,增益 G m a x = 20 d B , I d = 6.3 m A G_{max}=20dB,I_d=6.3mA Gmax=20dB,Id=6.3mA,满足设计要求。
接下来通过史密斯圆图的方法做输入的阻抗匹配。
先让lg(如0.1n)很小,扫ls,让其经过模50欧姆的阻抗圆,取交点处的电感值0.8n。
令ls为0.8n,再扫lg,让其经过50欧姆的中心点,取交点处的电感值24.8n。
图中的曲线没有经过中心点,需要微调ls,当lg=1.05n时经过中心点,lg=24.8n
先让cl(如100p)很大,扫ld,让其经过模50欧姆的阻抗圆,取交点处的电感值19.4n。
令ld=19.4n再扫cl,让其经过50欧姆的中心点,取交点处的电容0.328p。必要的时候还需要微调ld。
阻抗匹配好之后,S11、S12、S21、S22、NF的要求基本能满足,但IIP3令人头疼:
图中的IIP3为-15dBm,小于-10dBm,不达标。
经过艰难的探索,发现可以适当减小Ro至700欧姆,重新调整输出阻抗匹配,得到符合指标的LNA。
总电流为 7.3 m A < 10 m A 7.3mA<10mA 7.3mA<10mA,放大管偏置电压 V g = 1.20 V V_g=1.20V Vg=1.20V,饱和电压 V d s a t = 0.28 V V_{dsat}=0.28V Vdsat=0.28V。
参数 | 指标要求 | 仿真数值 |
---|---|---|
工作频率 | 1.7-1.8GHz | 1.75GHz |
S11 | <-10dB | -32.3dB |
S12 | <-20dB | -37.0dB |
S21 | >20dB | 20.5dB |
S22 | <-10dB | -14.7dB |
NF | <2dB | 0.823dB |
IIP3 | >-10dBm | -9.5dBm |
射频是这学期最费心力的课,不像模大可以找到手把手推导的资料,需要有摸索的过程,颇有“山重水复疑无路,柳暗花明又一村”的感觉。
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