STM32 Flash学习（三）

硬件设计

开机的时候先显示一些提示信息，然后在主循环里面检测两个按键。
其中1个按键WK_UP用来执行写入FLASH的操作，另一个按照KEY0用来执行读出操作。

软件设计

添加了两个文件stmflash.c和stmflash.h。

#include "stmflash.h"
#include "delay.h"
#include "usart.h"

extern void FLASH_PageErase(uint32_t PageAddress);

//读取指定地址的半字（16位）
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
	return *(vu16*)faddr;
}

//不检查的写入
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
	u16 i;
	for(i=0; i<NumToWrite; i++){
			HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD,WriteAddr,pBuffer[i]);
			WriteAddr+=2;//地址增加 2.
	}
}

//从指定地址开始写入指定长度的数据
#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else
#define STM_SECTOR_SIZE 2048 //字节

u16 STMFLASH_BUF[STM_VECTOR_SIZE/2];

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
	u32 secpos; //扇区地址
	u16 secoff;//扇区内偏移地址(16位字计算)
	u16 secremain; //扇内剩余地址(16位字计算)
	u16 i;
	u32 offaddr; //去掉0x08000000后的地址

	if(WriteAddr<STN32_FLASH_BASE||(WriteAdd>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE))) return;
	HAL_FLASH_Unlock(); //解锁
	offaddr = WriteAddr - STM32_FLASH_BASE;
	secpos = offaddr/SIM_SECTOR_SIZE;
	secoff = (offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;
	secremain = SIM_SECTOR_SIZE/2 - secoff;
	if(NumToWrite <= secremain) secremain = NumToWrite;
	while(1) 
	{	
		STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
		for(i=0;i<secremain;i++)	//校验数据
		{
			if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除  	  
		}
		if(i<secremain)				//需要擦除
		{
			FLASH_PageErase(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);	//擦除这个扇区
			FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);            	//等待上次操作完成
			CLEAR_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PER);							//清除CR寄存器的PER位，此操作应该在FLASH_PageErase()中完成！
																		//但是HAL库里面并没有做，应该是HAL库bug！
			for(i=0;i<secremain;i++)//复制
			{
				STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];	  
			}
			STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
		}else 
		{
			FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);       	//等待上次操作完成
			STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间. 
		}
		if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
		else//写入未结束
		{
			secpos++;				//扇区地址增1
			secoff=0;				//偏移位置为0 	 
		   	pBuffer+=secremain;  	//指针偏移
			WriteAddr+=secremain*2;	//写地址偏移(16位数据地址,需要*2)	   
		   	NumToWrite-=secremain;	//字节(16位)数递减
			if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
			else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
		}	 
	};	
	HAL_FLASH_Lock();		//上锁
}
#endif

STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
参数：

• WriteAddr：起始地址（必须为2的倍数）
• pBuffer：数据指针，指向要写入的数据缓冲区
• NumToWrite：16位数据量（以半字为单位，即两个字节）

功能：
该函数用于将从指定地址开始的指定长度的数据写入闪存。
首先计算出目标地址所在的扇区地址和扇区内偏移地址。
然后，从Flash读出整个扇区的内容，并检查是否需要执行擦除操作。
如果需要擦除扇区，则执行擦除操作，并将数据复制到缓冲区。
最后，使用STMFLASH_Write_NoCheck函数将整个扇区的数据写入Flash。
如果不需要擦除操作，直接使用STMFLASH_Write_NoCheck函数将数据写入到扇区的剩余空间。

该函数对写入地址是有要求的，必须保证以下两点：

1. 该地址必须是用户代码区以外的地址。
2. 该地址必须是2的倍数。

条件1，如果把用户代码擦了，运行的程序就废了，可能出现死机的情况。条件2是STM32 FLASH的要求，每次必须写入16位，如果写入的地址不是2的倍数，那么写入的数据，可能就不正确。

//从指定地址开始读出指定长度的数据
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)
{
	u16 i;
	for(i=0; i<NumToRead; i++)
	{
		pBuffer[i] = STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr); //读取2个字节
		ReadAddr += 2;
	}
}

//测试用
void Test_Write(u32 WriteAddr,u16 WriteData)
{
	STMFLASH_Write(WriteAddr, &WriteData, 1);//写入1个字
}

main.c文件

#include "stmflash.h"

//要写入到STM32_FLASH的字符串数组
const u8 TEXT_Buffer[] = {"STM32 FLASH TEST"};
#define SIZE sizeof(TEXT_Buffer)
#define FLASH_SAVE_ADDR 0x08020000 //设置FLASH保存地址必须为偶数

int main(void)
{
	u8 key = 0;
	u8 datatemp[SIZE];

	HAL_Init();                    	 	//初始化HAL库    
    Stm32_Clock_Init(RCC_PLL_MUL9);   	//设置时钟,72M
	delay_init(72);               		//初始化延时函数
	uart_init(115200);					//初始化串口
	LED_Init();							//初始化LED	
	KEY_Init();							//初始化按键

	while(1)
	{
		key = KEY_SCAN(0);
		if(key = KEY1_PRES)
		{
			STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)TEXT_Buffer,SIZE);
		}
		if(key==KEY0_PRES)	//KEY0按下,读取字符串并显示
		{
			STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)datatemp,SIZE);
		}
	}
}