NSV60600MZ4T1G 双极型晶体管（BJT）学习总结

双极型晶体管的起源:

双极型晶体管是在1947年发明的，第一个晶体管是将两条具有尖锐端点的金属线与锗衬底(germanium substrate)形成点接触(point contact)，以今天的水准来看，此第一个晶体管虽非常简陋但它却改变了整个电子工业及人类的生活方式。

现代双极型晶体管，锗衬底已由硅(silicon)取代，点接触亦由两个相邻的耦合p‒n结(coupled p‒n junction)所取代，其结构可为p‒n‒p或n‒p‒n的形式。

晶体管(transistor，是转换电阻transfer resistor的缩写)是一个多重结的半导体器件。

通常晶体管会与其他电路器件整合在一起，以获得电压、电流或是信号功率增益。

双极型晶体管(bipolar transistor)，或称双极型结晶体管(bipolar junction transistor，BJT)是最重要的半导体器件之一，在高速电路、模拟电路、功率放大等方面具有广泛的应用。

什么是双极型晶体管（BJT）？

双极性晶体管（英语：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件，由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

BJT的类型：

1、PNP双极结型晶体管

这些类型的晶体管具有两个p区和一个n区。 n区夹在两个p区之间。

2、NPN双极结型晶体管

NPN晶体管是由三个端子和三个层组成，并用作放大器或电子开关。NPN BJT具有正向偏置的E–B结和反向偏置的B–C结

PNP型：

双极性晶体管的另一种类型为PNP型，由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说，当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时，集电极电压低于基极，晶体管处于正向放大区。

在双极性晶体管电学符号中，基极和发射极之间的箭头指向电流的方向，这里的电流为电子流动的反方向。与NPN型相反，PNP型晶体管的箭头从发射极指向基极 [3]  。

下面讲解一款安森美PNP双极结型晶体管NSV60600MZ4T1G主要功能特性分析:

安森美深力科NSV60600MZ4T1G 低VCE（sat）晶体管是具有超低饱和特性的表面安装器件电压（VCE（sat））和高电流增益能力。用于低电压、高速开关应用负担得起的高效能源控制很重要。典型的应用是DC-DC转换器和电源管理在便携式和电池供电的产品中，如蜂窝电话和无绳电话手机、掌上电脑、电脑、打印机、数码相机和MP3播放器。其他应用是大容量存储中的低压电机控制磁盘驱动器和磁带驱动器等产品。在汽车领域工业上，它们可以用于安全气囊部署和仪器簇高电流增益允许e2PowerEdge设备直接由PMU的控制输出驱动，以及线性增益（Beta）使它们成为模拟放大器的理想组件。

其主要特性如下:

1.低集电极-发射极饱和电压- 60 V

2.高直流电流增益

3.高电流增益带宽积

4.卓越的增益线性

5.最小化功率损耗

6.极低电流要求

7.适用于高频设计

8.最小失真

9.AECQ101合格且具备PPAP能力