全球氮化镓半导体器件市场规模将达到23亿美元，预计到2028年将达到86亿美元！

氮化镓（GaN）是一种半导体材料，其器件的研究和应用备受关注。与传统的硅（Si）半导体器件相比，氮化镓半导体器件具有更高的电子迁移率和击穿场强，因此具有更优越的电气性能。这些优势使得氮化镓半导体器件在高速电力电子、高功率微波电子、以及深紫外光电子等领域具有广泛的应用前景。

例如，在电力电子领域，氮化镓的高击穿场强和高温稳定性使其成为制造高效、高功率、高温电力电子器件的理想材料。

2.在光电子领域，氮化镓的高电子迁移率和宽带隙使其成为制造高效率、高亮度、高可靠性蓝光和紫外光发射器件的理想材料。

3.氮化镓还具有较好的化学稳定性，能够在高温、强腐蚀等恶劣环境下保持稳定性能。

根据阿谱尔（APO）的统计及预测，全球氮化镓半导体器件市场规模将达到23亿美元，预计到2028年将达到86亿美元，预计将以24%的复合年增长率增长。

尽管氮化镓半导体器件具有诸多优势，但是其研究和发展仍然面临一些挑战，例如制造成本高、可靠性问题等。因此，进一步的研究和改进仍然是必要的，以推动氮化镓半导体器件的更广泛应用和商业化。

随着 LED、家用电池充电器和其他现代有源设备的互联程度越来越高，能源和电力应用对氮化镓半导体器件的需求不断增加。 需要无线通信和宽带速度。 许多电信公司正在部署 5G 基础设施来支持和支持该行业。

射频半导体器件行业需求旺盛，推动了氮化镓半导体市场的发展。 由于射频元件与电信领域密切相关，因此应用需要电子设备在广泛的通信频率范围内工作。 它们能够在极高频段实现高功率放大。 此外，氮化镓技术的最新进展进一步促进了市场增长。

纯氮化镓这种在高压电力电子领域应用了十年的半导体材料，其製造成本已经超过碳化硅，成为全球GaN半导体器件市场的一大障碍。它是其中之一。 製造 GaN 器件的成本很高，包括衬底、製造、封装、电子支持和研究。 因此，高成本阻碍了市场增长。