BJT晶体管的参数

   λ—光谱半宽度
  VF—正向压降差
  Vz—稳压范围电压增量
  av—电压温度系数
  a—温度系数
  BV cer—基极与发射极串接一电阻,CE结击穿电压
  BVcbo—发射极开路,集电极与基极间击穿电压
  BVceo—基极开路,CE结击穿电压
  BVces—基极与发射极短路CE结击穿电压
  BVebo— 集电极开路EB结击穿电压
  Cib—共基极输入电容
  Cic—集电结势垒电容
  Cieo—共发射极开路输入电容
  Cies—共发射极短路输入电容
  Cie—共发射极输入电容
  Cjo/Cjn—结电容变化
  Cjo—零偏压结电容
  Cjv—偏压结电容
  Cj—结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容
  CL—负载电容(外电路参数)
  Cn—中和电容(外电路参数)
  Cob—共基极输出电容。在基极电路中,集电极与基极间输出电容
  Coeo—共发射极开路输出电容
  Coe—共发射极输出电容
  Co—零偏压电容
  Co—输出电容
  Cp—并联电容(外电路参数)
  Cre—共发射极反馈电容
  Cs—管壳电容或封装电容
  CTC—电容温度系数
  CTV—电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
  Ct—总电容
  Cvn—标称电容
  di/dt—通态电流临界上升率
  dv/dt—通态电压临界上升率
  D—占空比
  ESB—二次击穿能量
  fmax—最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
  fT—特征频率
  f—频率
  h RE—共发射极静态电压反馈系数
  hFE—共发射极静态电流放大系数
  hfe—共发射极小信号短路电压放大系数
  hIE—共发射极静态输入阻抗
  hie—共发射极小信号短路输入阻抗
  hOE—共发射极静态输出电导
  hoe—共发射极小信号开路输出导纳
  hre—共发射极小信号开路电压反馈系数
  IAGC—正向自动控制电流
  IB2—单结晶体管中的基极调制电流

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