一.stm32的内部flash操作笔记
一.在文件stm32f4xx_hal_flash_ex.h中有对应的文件标号定义如下：
/*--------------------------------------- STM32F40xxx/STM32F41xxx -------------------------------------*/
#if defined(STM32F405xx) || defined(STM32F415xx) || defined(STM32F407xx) || defined(STM32F417xx) || defined(STM32F412Zx) ||\
defined(STM32F412Vx) || defined(STM32F412Rx) || defined(STM32F412Cx)
#define OB_WRP_SECTOR_0 0x00000001U /*!< Write protection of Sector0 */
#define OB_WRP_SECTOR_1 0x00000002U /*!< Write protection of Sector1 */
#define OB_WRP_SECTOR_2 0x00000004U /*!< Write protection of Sector2 */
#define OB_WRP_SECTOR_3 0x00000008U /*!< Write protection of Sector3 */
#define OB_WRP_SECTOR_4 0x00000010U /*!< Write protection of Sector4 */
#define OB_WRP_SECTOR_5 0x00000020U /*!< Write protection of Sector5 */
#define OB_WRP_SECTOR_6 0x00000040U /*!< Write protection of Sector6 */
#define OB_WRP_SECTOR_7 0x00000080U /*!< Write protection of Sector7 */
#define OB_WRP_SECTOR_8 0x00000100U /*!< Write protection of Sector8 */
#define OB_WRP_SECTOR_9 0x00000200U /*!< Write protection of Sector9 */
#define OB_WRP_SECTOR_10 0x00000400U /*!< Write protection of Sector10 */
#define OB_WRP_SECTOR_11 0x00000800U /*!< Write protection of Sector11 */
#define OB_WRP_SECTOR_All 0x00000FFFU /*!< Write protection of all Sectors */
#endif /* STM32F405xx || STM32F415xx || STM32F407xx || STM32F417xx || STM32F412Zx || STM32F412Vx || STM32F412Rx || STM32F412Cx */
/*-----------------------------------------------------------------------------------------------------*/
对于头文件的定义internal_flash.h用户自定义，以1mb的内部flash的stm32为例：
#ifndef _INTERNAL_FLASH_H
#define _INTERNAL_FLASH_H
#include "main.h"
#define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint32_t)0x08008000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((uint32_t)0x0800C000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4 ((uint32_t)0x08010000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5 ((uint32_t)0x08020000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6 ((uint32_t)0x08040000) //程序存储区域
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7 ((uint32_t)0x08060000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8 ((uint32_t)0x08080000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9 ((uint32_t)0x080A0000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10 ((uint32_t)0x080C0000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11 ((uint32_t)0x080E0000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_12 ((uint32_t)0x08100000)
/*STM32F405 FLASH从前往后由4块16K，一块64K，7块128K字节的扇区组成,每片扇区在写之前要确保全为1，总共1024K*/
//BIN文件具体数据的存储地址
//#define NORMAL_APP_EXIST_FLAG_ADDR ADDR_FLASH_SECTOR_5 //文件是否存在地址,为1表示文件存在//文件存储的的地址
#define NORMAL_APP_EXIST_FLAG_ADDR ADDR_FLASH_SECTOR_7 //文件是否存在地址,为1表示文件存在//文件存储的的地址
#define NORMAL_APP_EXIST_FLAG_SIZE 4 //设定4个字节
#define NORMAL_APP_Version_ADDR NORMAL_APP_EXIST_FLAG_ADDR+NORMAL_APP_EXIST_FLAG_SIZE//BIN文件版本号存储的地址
#define NORMAL_APP_Version_SIZE 4 //设定4个字节
#define NORMAL_APP_CRC_ADDR NORMAL_APP_Version_ADDR+NORMAL_APP_Version_SIZE//上位机发送下来的CRC32
#define NORMAL_APP_CRC_SIZE 4//设定4个字节
#define NORMAL_APP_LEN_ADDR NORMAL_APP_CRC_ADDR+NORMAL_APP_CRC_SIZE//文件长度设置为四个字节
#define NORMAL_APP_LEN_SIZE 4
#define NORMAL_APP_DATA_ADDR NORMAL_APP_LEN_ADDR+NORMAL_APP_LEN_SIZE//接下来BIN文件具体数据的存储地址
自检程序存储的地址和参数--扩展功能<需求未提出，此内容应该时存储标准板的bin文件>
#define SELCHECK_APP_EXIST_FLAG_ADDR ADDR_FLASH_SECTOR_6 //文件是否存在地址,为1表示文件存在
#define SELCHECK_APP_EXIST_FLAG_SIZE 4 //字节
#define SELCHECK_APP_Version_ADDR SELCHECK_APP_EXIST_FLAG_ADDR+SELCHECK_APP_EXIST_FLAG_SIZE //BIN文件版本号存储的地址
#define SELCHECK_APP_Version_SIZE 4
#define SELCHECK_APP_CRC_ADDR SELCHECK_APP_Version_ADDR+SELCHECK_APP_Version_SIZE//上位机发送下来的CRC32
#define SELCHECK_APP_CRC_SIZE 4
#define SELCHECK_APP_LEN_ADDR SELCHECK_APP_CRC_ADDR+SELCHECK_APP_CRC_SIZE//文件长度设置为四个字节
#define SELCHECK_APP_LEN_SIZE 4
#define SELCHECK_APP_DATA_ADDR SELCHECK_APP_LEN_ADDR+SELCHECK_APP_LEN_SIZE//接下来BIN文件具体数据的存储地址
/*****************************************************************************/
//flash存储的基本地址
#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000
#define FLASH_WAITETIME 50000 //FLASH等待超时时间
void Flash_Write(uint32_t WriteAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToWrite);
void Flash_Read(uint32_t ReadAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToRead);
void Flash_Test(void);
#endif
internal_flash.c文件的定义如下：
#include "internal_flash.h"
/设置串口打印的宏定义，减少代码运行效率///
#if defined(flash_CONN_LOG)
#define flash_log_print(format, ...) printf(format, ##__VA_ARGS__)
#else
#define flash_log_print(format, ...)
#endif
/**
函数名：Flash_GetFlashSector
函数功能：用于获取扇区的标号
参数：地址
返回值：地址所在扇区的标号
**/
static uint8_t Flash_GetFlashSector(uint32_t addr)
{
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return 0;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return 1;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return 2;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return 3;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return 4;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return 5;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return 6;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return 7;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return 8;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return 9;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return 10;
else return 10;
}
/**
函数名：Flash_ReadWord
函数功能：用于获取当前要读取的位置字节数据的地址
参数：读取的地址数据
返回值：返回数据地址
**/
static uint32_t Flash_ReadWord(uint32_t faddr)
{
return *(int32_t*)faddr;
}
/**
函数名：Flash_Read
函数功能：读取相应地址的数据
参数：要读的地址
存储数据的数据缓存地址
读取的长度
返回值：
**/
void Flash_Read(uint32_t ReadAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToRead)
{
uint32_t i;
for(i=0;i<NumToRead;i++)
{
pBuffer[i]=Flash_ReadWord(ReadAddr);//读取开始地址到NumToRead个数据放到缓存区
ReadAddr+=4;
}
}
/**
函数名：Flash_Write
函数功能：向flash写入数据
参数：要写入的首地址
存储要写的数据的地址
长度
返回值：
**/
void Flash_Write(uint32_t WriteAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToWrite)
{
FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;//要进行擦除的结构体初始化
HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK; //flash状态共用体，初始化
uint32_t SectorError=0;
uint32_t addrx=0,endaddr=0;
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return; //非法地址，小于0x08000000,不是4的整数倍
HAL_FLASH_Unlock(); //解锁
addrx=WriteAddr; //写入的起始地址
endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4; //写入的结束地址
if(addrx<ADDR_FLASH_SECTOR_12)//判断写入地址是否超出界限
{
while(addrx<endaddr) //扫清一切障碍.(对非 FFFFFFFF 的地方,先擦除)
{
if(Flash_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//读取要写的地址是否无有数据，有数据时执行if操作。
{
FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS; //类型扇区擦除
FlashEraseInit.Sector=Flash_GetFlashSector(addrx); //要擦除的扇区
FlashEraseInit.NbSectors=1; //一次只擦除一个扇区
FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;//VCC=2.7~3.6V 按照字进行擦除
if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)
{
break;//发生错误了
}
}
else
addrx+=4;//地址偏移到下一个字，进行循环擦除
FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成
}
}
FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上面的擦除操作彻底完成
if(FlashStatus==HAL_OK)
{
while(WriteAddr<endaddr)//写数据
{
if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
{
break; //写入异常
}
WriteAddr+=4;
pBuffer++;
}
}
HAL_FLASH_Lock(); //上锁
}
/**
函数名：Flash_Test
函数功能：用来测试写入和读取操作正常否
参数：
返回值：
**/
void Flash_Test(void)
{
uint32_t test = 0x01020304;
uint32_t test1 = 0xaabbccdd;
uint32_t test2 = 0xaabb4098;
Flash_Write(SELCHECK_APP_EXIST_FLAG_ADDR, &test, 1);//文件是否存在地址,为1表示文件存在
Flash_Read(SELCHECK_APP_EXIST_FLAG_ADDR, &test, 1);
flash_log_print("test:%x\n",test);
Flash_Write(SELCHECK_APP_Version_ADDR, &test1, 1); //BIN文件版本号存储的地址
Flash_Read(SELCHECK_APP_Version_ADDR, &test1, 1);
flash_log_print("test1:%x\n",test1);
Flash_Write(NORMAL_APP_CRC_ADDR, &test2, 1);//文件长度设置为四个字节
Flash_Read(NORMAL_APP_CRC_ADDR, &test2, 1);
flash_log_print("test2:%x\n",test2);
}