汽车电子MRAM非易失性解决方案

随着汽车的电子化，对满足汽车恶劣驾驶环境、快速耐用的非易失性解决方案的需求正在逐渐增加。MRAM具有近乎无限的耐久性及高可靠性，是能够满足电子应用程序中这种市场需求的非易失性存储器，最为理想。

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是汽车应用的理想选择存储芯片,MRAM具有快速且不易失的特点。实时监控的传感器数据可以实时写入，而不需要负载均衡或ECC开销。

例如S3R4016V1M 4Mbit的STT-MRAM存储芯片，MR2A16A提供与SRAM兼容的70ns读/写时序，具有无限的续航能力。数据在超过10年的时间内始终是非易失性的。通过低电压抑制电路在断电时自动保护数据，以防止电压超出规格时写入。非常适合需要快速频繁地存储和检索数据和程序的应用程序，因为STT-MRAM具有非易失性、几乎无限的耐久性和快速写入特性。可以取代低功耗SRAM、FeRAM或nvSRAM，具有相同的功能和非易失性。