《炬丰科技-半导体工艺》 硅蚀刻及其在太阳能电池制造过程中的应用

书籍：《华林科纳-半导体工艺》
文章：硅蚀刻及其在太阳能电池制造过程中的应用
编号：JFKJ-21-1108
作者：华林科纳

引言
随着对世界能源环境问题的关注增加，对可再生能源太阳能发电的期待也越来越高。 在停滞的世界经济中，太阳能电池相关产业备受关注。
作为太阳能电池的评价基准，不仅是制造成本，效率和可靠性(耐久性)也是重点。 综合判断，也有预测称，如果晶体基板的供给体制完备，晶体硅太阳能电池的优势不会轻易崩溃。 晶体硅系太阳能电池已经有很长的实绩，看起来在技术上已经完成，但是通过基板的薄膜化实现的低成本·省资源化、表面反射率降低以及p/n结形成法的改善带来的效率提高等改良现在也在稳步进行。

实验
通过湿法工艺对太阳能电池用硅进行表面处理，并通过降低表面反射率来提高高效晶体硅太阳能电池的效率。 为了解决这样的问题，即在400-1100 nm波长范围内，原始硅平坦衬底的反射率非常高，平均约为40%，因此，由于反射而产生大的损失。 为了解决在应用于太阳能电池时的工艺成本问题，尽管可以通过施加折射率不同的多层膜涂层（例如光学部件）来降低反射率。
在这种情况下，采用了在硅表面上施加粗糙形状并施加单层涂层（例如氮化硅膜和二氧化钛膜）的技术。 采用凹凸结构的面，具有光限制效果，称为纹理面。 在单晶硅的情况下，由于面是化学稳定的，因此通过利用该面容易通过化学处理暴露的事实来获得纹理面。 具体地，通过将面的硅晶片浸入碱性液体中，形成由面构成的金字塔结构，如图1所示。