光刻胶剥离工艺

引言

虽然通过蚀刻的结构化是通过(例如抗蚀剂)掩模对衬底的全表面涂层进行部分腐蚀来完成的,但是在剥离过程中,材料仅沉积在不受抗蚀剂掩模保护的位置。本文章描述了获得合适的抗蚀剂掩模的要求、涂层方面的问题,以及最终去除其沉积材料的抗蚀剂掩模。

基本原理

光刻胶剥离工艺_第1张图片

图1显示了过程se-中的基本差异

通过蚀刻构造薄膜时的顺序(左栏-umn)和提升关闭(右栏)。对于蚀刻工艺,光致抗蚀剂处理是在先前施加的涂层上进行的,而在剥离工艺中,涂层被施加到现有的涂层上光刻胶结构。随后的实际剥离去除了抗蚀剂结构和沉积的材料同时通过抗蚀剂掩模的开口直接施加到衬底上的材料根据需要保留在那里。如图所示,用于抗蚀剂处理的光掩模必须倒置或交替使用当在蚀刻和剥离工艺之间改变时,光刻胶的正性和负性处理。

图1:通过蚀刻工艺(左)和剥离工艺(右)构造(例如金属)层的基本工艺顺序。

与蚀刻工艺相比的优点和缺点

只有当阻止了抗蚀剂侧壁的涂覆时,剥离过程才实现可再现的限定结构,这在各向同性溅射工艺中是不可能的。对于诸如金或氮化硅的一些材料,由于施加到其上的抗蚀剂掩模的粘附性差,湿法化学蚀刻是有问题的,因此干法蚀刻或剥离是合理的替代方案。如果所需的化学物质不能用于例如工作,则湿法化学蚀刻工艺不适用安全原因。如果由于涂覆过程及其持续时间而

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