Lecture 7

3.3 DRAM 存储器

3.3.1 DRAM存储元的记忆原理

3.3.2 DRAM芯片的逻辑原理

3.3.3 读/写周期、刷新周期

刷新操作分为:

  1. 集中式刷新
  2. 分散式刷新

3.3.4 存储器容量的扩充

  1. 字长位数扩展
  • 地址线和控制线公用
  • 数据线单独分开连接
  1. 字存储容量扩展
  • 地址总线、数据总线公用
  • 控制总线中公用,使能端EN不公用,
  1. 字、位同时扩展法

例:P101.3

3.4 只读存储器和闪速存储器

3.4.1 只读存储器ROM

3.4.2 闪速存储器FLASH

你可能感兴趣的:(Lecture 7)