内存CL-RCD-RP-RAS含义

CAS＃ Latency：行地址控制器延迟时间，简称CL。表示从已经寻址的行，到达输出缓存器的数据所需要的时钟循环数。对内存来说，这是最重要的一个参数，这个值越小，系统读取内存数据的速度就越快，反之越慢。

RAS＃ to CAS＃：列地址至行地址的延迟时间，简称RCD，表示在已经决定的列地址和已经送出行地址之间的时钟循环数，以时钟周期数为单位，该值越小越好。

RAS# Precharge：列地址控制器预充电时间，简称tRP，表示对回路预充电所需要的时钟循环数，以决定列地址。同样以时钟周期数为单位，也是越小越好。

TRas#：列动态时间，也称tRAS，表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟，以时钟周期数为单位，通常是最后也是最大的一个数字。

 

CL-tRCD-tRP  时序

1、CL（CAS Latency）：“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”（可能的选项：1.5/2/2.5/3）
    BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。这个参数很重要，内存条上一般都有这个参数标记。在BIOS设置中DDR内存的CAS参数选项通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3” 几种选择，SDRAM则只有“2”、“3”两个选项。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高内存稳定性。

2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：2/3/4/5）
    BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。数值越小，性能越好。

3、tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间”（可能的选项：2/3/4）
    BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。预充电参数越小则内存读写速度就越快。

4.tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”（可能的选项：1……5/6/7……15）
    BIOS中的可能其他描述：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等