IRFR13N15DTRPBF-VB场效应管一款N沟道TO252封装的晶体管

型号:IRFR13N15DTRPBF-VB
丝印:VBE1158N
品牌:VBsemi
参数:
- 封装:TO252
- 沟道类型:N—Channel
- 最大耐压:150V
- 最大电流:25A
- 开态电阻:RDS(ON)=70mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=2V

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应用简介:
IRFR13N15DTRPBF-VB是一款N—Channel沟道的功率场效应晶体管(Power MOSFET),封装为TO252。该器件在电源开关、电源管理、和其他需要N型沟道的应用中有着广泛的应用。

详细参数说明:
1. **沟道类型:** N—Channel,适用于需要N型沟道的电源开关和管理电路设计。
2. **最大耐压:** 150V,适用于中等电压电路。
3. **最大电流:** 25A,支持相对较高的电流需求。
4. **开态电阻:** RDS(ON)=70mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,低导通电阻,有助于减小功率损耗。
5. **阈值电压:** Vth=2V,定义了器件的开启阈值,影响其在电路中的导通状态。

主要应用领域:
IRFR13N15DTRPBF-VB常用于以下领域模块:
1. **电源开关模块:** 适用于电源开关电路,实现电源的开关控制。
2. **电源管理模块:** 可以用于电源管理电路,实现电流和电压的调节。
3. **驱动器模块:** 作为电流或电压的开关元件,用于驱动器电路中。

作用:
在以上模块中,IRFR13N15DTRPBF-VB的作用主要包括:
- **电源开关模块:** 控制电源的开关,实现电路的断开和导通。
- **电源管理模块:** 用于电源管理电路,调节电流和电压。
- **驱动器模块:** 作为开关元件,用于驱动器电路中实现开关操作。

使用注意事项:
1. 在设计电路时,确保工作电压和电流不超过器件的最大耐压和最大电流。
2. 注意阈值电压的范围,确保器件能够正常工作在所需的电压范围内。
3. 仔细阅读厂商提供的数据手册,了解更多关于使用和操作的细节,以确保正确的应用。

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