半导体工艺-退火

退火,半导体工艺中的退火,一直没弄明白,近期学习一下,自己再消化。因为本人不是半导体专业的,但是又从事这个相关的工作,所以有必要多学习,用自己的语言去理解,虽然不一定准确,但是力求在大方向上是正确的。

主要内容:

什么是退火?定义。

怎么退火?方法

为什么退火?目的

退火的效果?

基本上搞清前三个问题就差不多了。

?什么是退火

-首先和负责做快速退火工艺的老师请教什么是退火。

专业角度讲,退火是改善无序为有序,恢复结晶常数和迁移率,利用适当的时间和温度恢复晶格秩序的工艺过程就是“退火”。

?退火的目的

-从定义里就可以知道,退火的目的是恢复结晶常数和迁移率。(这里面涉及了两个词语,结晶常数和迁移率,后面会解释)

?退火的方法

-同样从定义里可以知道,退火的方法就是把样品放到炉体里,然后设定时间和温度。至于什么时间和温度合适,查阅相关的资料可以得到,或许得到的时间和温度不一定符合自己的需求,那么可在查到的数值附近再多做几次实验便可以找到。更直接的方法,就是找负责退火工艺的老师,把需求和他说,他会帮你实现。

-通俗的讲,退火就是把进入到A中的B原子恢复到A中某个原子原来所处的位置,对该原子的位置进行替换,然后在宏观上能体现出B的特性,改善整个样品A(掺杂了B)的特性,比如迁移率。

?什么是快速退火

-退火的方法分为快速退火和常规退火。

-快速退火就是时间短,升温快,保温时间短,时间在5-6分钟,样品可以快速取出。常规退火的特点是,升温慢,保温时间长,最短时长在1小时。快速退火可能没有常规退火做的完美,但是有的工艺需求是可以满足的,所以用快速退火完成,而不一定要用常规退火。



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