十四五拟大力发展第三代半导体

1、据外媒消息，中国计划将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中。

中国计划在2021至2025年期间，“举全国之力”，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，目标实现产业独立自主，“不会受制于人”。

中国将在下个月制定下一个五年的经济战略，包括努力扩大国内消费并在国内制造关键技术，承诺到2025年向无线网络到人工智能等技术领域投入约1.4万亿美元。

这是今天乾照光电等相关标的直线拉升的主要原因。

2、半导体实际上是中国技术雄心的每个组成部分的基础，对于国产半导体来说，这场战役只能胜利，不能失败。

国家将大力支持这场战役，这是毋庸置疑的。在半导体这条传统的国家级赛道上，不得不承认，我们跟先进国家之间存在巨大的差距，但我们仍必须迎难而上，不然今天的华为困境，就是所有中国高科技企业的未来写照。

3、第三代半导体材料，即宽禁带半导体材料，是指禁带宽度在2.3eV（电子伏特）及以上的半导体材料（而硅的禁带宽度为1.12eV），目前比较成熟的有碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等。

以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体将成为半导体产业升级的关键。

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